初创公司xLight 是一家专注于芯片光刻技术的企业，其核心计划是为极紫外光刻（EUV）设备打造基于自由电子激光器（FEL）的新型光源。与传统技术路径不同，该公司将采用粒子加速器产生高能电子束，进而激发极紫外光子。据称，这种技术方案的效率将远超目前主流的激光等离子体（LPP）方案。值得关注的是，这也是美国本土初创企业首次涉足该细分领域。

xLight 拟推 FEL 基 EUV 新光源，效率据称超传统方案

自特朗普政府执政以来，芯片行业的战略重要性显著提升，这也使得该领域备受关注。美国政府一方面推动台积电等芯片制造商加大在美投资，另一方面也向英特尔等企业注资，以保障美国技术优势。如今，美国商务部似乎正计划为有望强化本土芯片制造能力的企业提供支持—— 初创公司 xLight 便凭借《芯片与科学法案》（CHIPS Act）获得了 1.5 亿美元联邦激励资金。

“重振摩尔定律、重夺美国在光刻光源领域的领导地位，这是一个千载难逢的机遇。在联邦政府的支持下，xLight 将把机遇转化为现实。打造一款能效较现有技术提升十倍的高效 EUV 激光器，不仅将开启摩尔定律的下一个时代、提升晶圆厂产能，更将构建关键的本土技术能力。”xLight 董事会执行主席帕特・基辛格表示。

光刻领域的专业玩家本就寥寥无几，因此该细分赛道涌现的每一家初创公司都会吸引行业高度关注。另一个典型案例是 Substrate 公司，该公司宣称将采用更短波长的 X 射线进行芯片图形化，并获得了彼得・蒂尔旗下创始人基金（Founders Fund）的投资。而 xLight 则将在奥尔巴尼纳米技术园区（Albany Nanotech Complex）合作伙伴的支持下，全力推进 FEL 基光源的研发。

不过，xLight 目前仍面临多重挑战：即便成功研发出适用于 EUV 设备的 FEL 光源，仍需与阿斯麦（ASML）现有的 EUV 产品进行集成。这不仅是一项耗资巨大的工程，还可能面临这家荷兰光刻机巨头不愿尝试 FEL 技术的风险。此外，FEL 光源虽已实现科研级性能，但在高产量制造场景下的实用性仍存在不确定性。

光刻技术无疑是美国芯片行业的关键瓶颈—— 美国本土晶圆厂目前完全依赖阿斯麦的 EUV 设备。xLight 与 Substrate 两家公司在芯片光刻领域的突破尝试备受瞩目，尽管从纸面规划来看，两家企业都展现出了十足的信心，但最终能否攻克技术难关、实现产业化落地，仍有待观察。