1a制程DRAM设计出现问题,三星HBM市场表现严重失望!

2024-10-17 11:36:51 EETOP

韩国媒体报道,科技大厂三星陷入营运瓶颈,旗下包括半导体、家电、移动通信(MX)、显示器(SDC)在内的所有业务部门都在经历困难。其中,目前全球市占率排名第一的内存业务,即使在2024年第三季的景气上升周期当中也未能展现亮眼成绩,导致整个公司的营运状况不佳。

根据韩国媒体ZDNet Korea的报道,三星的存储器业务在高带宽存储器(HBM)的部分,市场对其表现严重失望。原因是三星一直没有积极在这领域的发展,直到 2024 年第三季开始,才针对 GPU 大厂英伟达进行 HBM3E 的认证,期望打入供应链当中。不过,当前8层堆栈的产品尚未通过认证,12层堆叠的产品则极有可能延后到2025年第二或第三季之后才有机会供应。

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至于,三星HBM没有积极发展有其复杂原因。其中,专家指出,三星HBM的问题根本上来说是核心芯片DRAM的问题。由于HBM结构是将多个DRAM垂直堆栈并连接在一起,因此DRAM的性能不可避免的会与HBM的性能直接相关。因此,从这个角度来看,三星供应HBM使用的DRAM,也就是1a制程技术的第四代DRAM产品技术上出了问题。

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报道解释了10纳米等级制程的DRAM产品,分为第一代的1x制程、第二代的1y制程、第三代的1z制程、第四代的1a制程、以及当前主流的第五代1b制程。 其中,第四代的1a制程DRAM其线宽约为14纳米,三星是在2021年下半年开始量产该款DRAM。 只是,尽管三星量产第四代的1a制程DRAM的时间早于竞争对手,而且其中采用了EUV光刻技术以提高产能,并提升竞争力。 但是这样的做法却未让三星在生产1a制程DRAM的竞争力上提升,反而是因为使用EUV光刻技术的难度较高,让三星的1a制程DRAM生产成本迟迟无法下降。

报道指出,由于三星的1a制程DRAM设计本身并不完美。尤其是应用在服务器上的产品开发受挫,这使得整体应用的时机较竞争对手落后。所以,相较于三星,SK 海力士在 2023 年一月就让旗下的 1a 制程 DRAM 的 DDR5 服务器产品率先获得英特尔认证。也因为1a制程DRAM的性能障碍情况,使得三星的HBM3E迟迟无法通过英伟达的认证而大量供应。

报道强调,基于以上的情况,不久前三星在韩国平泽产线中对提供英伟达认证的8层堆叠HBM3E产品进行了全面的清查。相较于英伟达认证的测试,三星的 8 层堆叠 HBM3E 产品没有出现任何问题,三星的自行检视则是查出其数据处理速度低于其他产品的情况。报告指出,三星的8层堆叠HBM3E产品在数据处理速度方面,较SK海力士和美光的产品下降约10%左右。

而对于这样的测试检测结果,三星正在考虑采取新的做法,那就是将部分充新设计1a制程DRAM,以期在未来恢复服务器DRAM和HBM产品的根本竞争力。对此,一位市场人士表示,正在考虑其存储器策略的三星,正在准备重新设计其1a制程DRAM的方式。不过,至今尚未做出最终决定。然而,一旦做出这样大胆的决定,三星可能必须承受各种压力所带来的影响。因此,后续值得持续观察。


关键词: DRAM 三星 HBM

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