ASML 发言人表示，已出货第一套High-NA EUV 光刻机给英特尔。如9月宣布，机器从荷兰ASML 总部运往英特尔俄勒冈州晶圆厂安装。High-NA EUV 光刻机体积非常大，需13 个大货柜才能装完。每套High-NA EUV 光刻机成本约3 亿至4 亿美元（约28亿元人民币）。
英特尔表示，会使用最新设备学习生产Intel 18A 制程，2025 年量产。配备0.55 NA 透镜的高High-NA EUV 光刻机达8 纳米解析度，比0.33 NA 透镜、13 纳米解析度标准EUV 光刻机显著提升。High-NA 将在2 纳米及更先进制程发挥重要作用。
因High-NA EUV 光刻机与标准EUV 光刻机差异不小，需大量修正基础设施，故领先对手几季部署对英特尔是很大优势。英特尔有充足时间调整Intel18A制程，一方面调整High-NA EUV 光刻机基础设施。
