Canon发布新闻稿宣布，已于13日开卖采用「纳米压印（Nano-imprint Lithography；NIL）」技术、可用低成本制造高性能先进芯片的微影设备「FPA-1200NZ2C」。Canon指出，NIL微影设备可用来生产现行最先进的5nm逻辑芯片，且经由改良，期待可进一步用来生产2nm产品。
产经新闻报道，Canon目标藉由NIL微影设备挑战在先进芯片制造设备上居于领先地位的荷兰半导体设备业龙头艾司摩尔（ASML Holding NV）。ASML是目前全球唯一一家可生产芯片细微化所不可或缺的「EUV（极紫外光）」微影设备厂商。
彭博社报道，有别于现行的微影设备须藉由曝光、将电路图案烧在晶圆上，NIL技术则是可像印章一样、直接将图案压印在晶圆上，因可一次性就形成电路，缩短制程时间、更省电。Canon在10年前就和日本光罩厂大日本印刷、铠侠（当时为东芝）携手研发NIL技术。日本政府自7月起加强高性能芯片制造设备的出口管制，而关于Canon的NIL设备是否在管制对象内，Canon避谈、仅表示会遵照法规规范来执行。
受此消息影响，上周五收盘ASML重挫2.71%，收599.75美元。
值得注意的是，中国股票市场也受到了此消息影响，纳米压印概念股上周五午后走高，汇创达午后开盘拉升涨超11%，美迪凯、晶方科技、利和兴、苏大维格等纷纷大幅拉升。
截止今天上午收盘美迪凯、苏大维格继续维持大幅上涨势头。
佳能新闻稿如下（自动翻译）：
2023年10月13日，佳能宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行最重要的半导体制造工艺——电路图案转移。
佳能除了现有的光刻系统之外，还通过将采用纳米压印光刻（NIL）技术的半导体制造设备推向市场，佳能正在扩大其半导体制造设备阵容，涵盖从最先进的半导体设备到最广泛的用户需求。
传统的光刻设备通过将电路图案投影到涂有抗蚀剂的晶圆上来转移电路图案，而新产品则通过将印有电路图案的掩模压印在晶圆上的抗蚀剂上，就像印章一样来实现这一点。由于其电路图案转移过程不通过光学机制，因此掩模上的精细电路图案可以忠实地再现在晶圆上。因此，可以在单个压印件中形成复杂的二维或三维电路图案，这可以降低拥有成本(CoO)。
佳能的 NIL 技术可实现最小线宽 14 nm 的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5 纳米节点
此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。
新产品采用了新开发的环境控制技术，可抑制设备内细颗粒的污染。
实现了半导体层数增加所必需的高精度对准，减少了微细颗粒造成的缺陷，并可形成精细且复杂的电路，有助于制造尖端半导体器件。
由于新产品不需要用于精细电路的特殊波长光源，因此与目前最先进的逻辑半导体（5 纳米节点，15 纳米线宽）光刻设备相比，可显著降低功耗，从而为减少二氧化碳排放量做出贡献。
新产品的应用范围很广，除了逻辑器件和其他半导体器件外，还可用于微观结构达数十纳米的 XR 金属透镜。
