事实上，4年前，ASML的第一代高NA（0.55 NA）光刻机EXE:5000，Intel就是第一个下单的公司。不过当前的7nm、5nm芯片还并非是其生产，而是0.33NA EUV光刻机。
和0.33NA光刻机相比，0.55NA的分辨率从13nm升级到8nm，可以更快更好地曝光更复杂的集成电路图案，突破0.33NA单次构图32nm到30nm间距的极限。
外界预计，第一代高NA光刻机EXE:5000会率先用于3nm节点，至于EXE:5200，按照Intel的制程路线图，2025年至少是20A或者18A（A代表埃米），也就是2nm和1.8nm或者20埃米和18埃米。
此前，ASML发言人曾对媒体透露，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NA EUV光刻机。
最后不得不说，Intel能抢到第一单，除了和ASML一致紧密合作外，当然也是因为“钞能力”，Gartner分析师Alan Priestley称，0.55NA下一代EUV光刻机单价将翻番到3亿美元（约合19亿元人民币）。
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