越做越强的台积电：5纳米良率比7纳米更高、3纳米继续用FinFET、2纳米工厂即将开建！

2020-08-26 12:58:10 来源：EETOP

台积电近日在线上研讨会上透露了有关于先进制程的大量资讯，目前刚量产的5 纳米制程良率已经迅速超过7 纳米，对于苹果A14X 芯片以及AMD Zen 4 处理器都是非常好的消息。

通常半导体制程良率是随着时间而下降，并获得更高的产量，也就是学习曲线的概念。不过台积电表示，尽管5 纳米是更先进的制程，但学习曲线表现比7 纳米更好，使量产非常顺利，而5 纳米强化版制程N5P 也即将于明年开始量产，性能将再度提高5%，或功耗降低10%。

基本上只要缺陷数低于0.5/cm2就算是合格的良率，目前已相当成熟的7纳米制程0.09/cm 2，但才刚量产不久的5纳米制程良率就已达到了0.1 /cm2，显示出过往更好的学习曲线，这可能主是得益于EUV技术的应用，减少了工艺步骤，原本需要4步DUV如今EUV能一次完成，降低了生产风险，如此下一季5纳米良率就将比7纳米更好。

目前来看5 纳米将会给台积电带来更强的竞争力，不仅如此，台积电还提供了最新N4 工艺的预览，N4 除了通过减少掩模层来简化工艺外，还提供了一条直接迁移路径，可以全面兼容5 纳米设计生态，预期将于明年底试产，2022 年实现量产。

而台积电下一代的N3 工艺将成为世界上最先进的逻辑技术，又会再度出现性能的飞跃与5 纳米相比将实现全节点的技术进步，性能再度提高15%、功耗降低30%、逻辑密度提高70%。但值得注意的是，3纳米仍然会是FinFET，这点倒是令市场相当意外，预计要到2纳米才会采用GAA。

当然面对质疑，台积电也表示，经过与客户的协商，3 纳米制程预期的成本及性能表现已受到广泛的支持。尽管三星宣称在3 纳米将使用GAA，但台积电仍相当胸有成竹。当然台积电仍在持续探索3 纳米以下的技术，例如纳米碳管等新材料的应用，不过目前来看单一晶体管的性能提升已渐趋有限，需要更好的设计才能达到更高的效率。

台积电目前已将眼光放到更进一步的2 纳米制程上。在25 日展开的「2020 台积电全球技术论坛」中，台积电营业组织资深副总经理秦永沛正式宣布，台积电未来的2纳米制程将会选择落脚新竹，而目前兴建晶圆厂的土地正在取得当中。

关键词：台积电 2纳米 FinFET

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