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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供历经十亿个周期测试的 可靠重复雪崩性能
2020-12-17 09:43:28
来源:
MOSFET
奈梅亨,2020年12月16日:
半导体
基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合,重点关注动力系统应用。该技术已通过十亿个雪崩周期
测试
,可用于
汽车
感性负载控制,例如电磁阀和执行器。除了提供更快的关断时间(高达4倍)外,该技术还能通过减少BOM数量简化设计。
在
汽车
动力总成中的电磁阀和执行器控制领域,基于MOSFET的
电源
方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩设计,利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关断期间来自感性负载电流的能量。这种设计与主动钳位方案的效率相当,能够消除对于二极管和其他器件的需求,从而最大程度地减少器件数量并降低电路复杂性。此外,这种设计还能支持更快的关断时间,进而提高电磁阀和继电器等机电器件的可靠性。通常来讲,这种设计只能使用基于陈旧平面技术的器件。Nexperia
汽车
重复雪崩ASFET产品系列专为解决此问题而开发,能够提供经过十亿个周期
测试
的可靠重复雪崩功能。 此外,与升压拓扑相比,这一产品系列可以减少多达15个板载器件,将器件管脚尺寸效率提高多达30%,从而简化设计。
新的MOSFET在175°C时完全符合AEC-Q101
汽车
标准,提供40 V和60 V选项,典型RDS(ON)额定值为12.5mΩ至55mΩ。所有器件均采用公司节省空间的LFPAK56D(双通道Power-SO8)铜夹片封装技术。该封装坚固可靠,配备鸥翼引脚,实现出色的板级可靠性,并兼容自动光学检查(AOI),提供出色的可制造性。
Nexperia产品经理Richard Ogden解释说:“通常,希望实现重复雪崩拓扑的工程师不得不依赖基于陈旧平面
半导体
技术的器件。通过在更高性能硅结构的基础上,提供具有可靠重复雪崩功能的
汽车
级器件,就能增加利用其功能优势而设计的动力总成数量。”
欲知更多信息,包括快速学习视频,请访问
www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/automotive-asfets-for-repetitive-avalanche
Nexperia于2020年初推出了专用FET (ASFET)系列,旨在满足业界对于最大化性能的需求。ASFET的MOSFET参数针对特定应用进行了优化。通过专注于特定的应用,可实现显著的改进。其他ASFET系列适用于热插拔、以太网供电(PoE)、电池保护和电机控制应用。更多详情,请访问
www.nexperia.com/asfets
关于Nexperia
Nexperia,作为
半导体
基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付900多亿件产品,产品符合
汽车
行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。
关键词:
MOSFET
Nexperia
AEC-Q101
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