三星14纳米FinFET处理器揭密

因此我们 TechInsights 认为值得仔细观察一下其他较旧款的Exynos系列处理器，来看看是否能发现一些共通性；下方的图片中，除了Exynos 7420的近距离特写，还有Exynos 4412、5410、5430以及5433。

我们注意到Exynos 7420封装上印刷的处理器型号“N8AZ9MP31”下方有“ALB”字样，这被推测是指Albany机场，而且延伸联想到GlobalFoundries同样位于美国纽约州(Saratoga)的晶圆代工业者GlobalFoundries。而在其他Exynos处理器上也有类似的字样，例如4412上的事ACA，5014上的是ABA，5422上的是AJB，5430上的是BJE，5433上的则是AKD。

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Samsung Exynos 7420特写 (来源：Techinsights)

经过搜寻全球各地的机场代码(IATA 3- letter)，ACA代表的是墨西哥Acapulco，ABA代表的是俄罗斯的Abakan，AJB与BJE不存在，AKD是印度的Akola；而既然以上有两种英文字母组合是不存在的，其他三个代表的机场又与三星晶圆厂距离甚远，因此我们可以排除“ALB”是指晶圆代工厂位置的可能性。

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Exynos 4412 (来源：Techinsights)

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Exynos 5422 (来源：Techinsights)

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Exynos 5430 (来源：Techinsights)

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Exynos 5433 (来源：Techinsights)

至于Exynos GXL4928R中的字母G，在4412、5422、5433上也可见到，分别式GKL799X、GFL2349C与GUF6679M；我们认为G指的是在PoP (Package on Package)封装记忆体模组内使用SRAM，并不是晶圆代工厂的代号。

我们也注意到，上述的Exynos处理器(4412、5422、5430与5433)是在14奈米节点前好一段时间就生产了，也是在GlobalFoundries授权三星14奈米制程技术之前，因此G不可能指的是那家晶圆代工业者，可以排除；我们认为Exynos 7420是三星自家生产。

从下面的图片可以看到面积为9.2 mm x 9.3 mm (86 mm2)的Exynos 7420裸晶；这款元件采用覆晶(flip-chip)方式与封装基板以凸块(bump)黏结，可以看到那些暗色的凸块分布在裸晶的表面上。

我们一开始对7420的横截面分析显示该款晶片确实有FinFET电晶体，因此确定三星是采用14奈米FinFET制成生产此处理器；我们量测到的接触闸(contacted gate)间距约为77奈米，比Exynos 5430所采用的20奈米制程之90奈米间距小了15%左右。

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Exynos 7420裸晶 (来源：Teardown.com)

扫描式电子显微镜(SEM)影像则显示，围绕在金属闸极侧边与底部的闸介电质(gate dielectric)与功函数金属(work function metal)。

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Exynos 7420的FinFET电晶体

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Exynos 7420的FinFET电晶体

在2015年4月发表的Exynos 7420，是继英特尔(Intel)在2014年10月发表第一款14奈米Broadwell 处理器5Y70之后，第一款采用14奈米FinFET制程生产的晶片；而这款晶片的发表距离三星于2014年9月发表的20奈米节点Exynos 5420仅七个月。英特尔传统上在制程进展会比台积电(TSMC)与三星超前一年，现在三星已经将差距缩短到半年，这是一大成就。

编译：Judith Cheng

(参考原文： Samsung Delivers Its 14 nm，by Kevin Gibb；本文作者为EETimes美国版姊妹公司TechInsights的产品经理)