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Microsemi公司推出同类最佳的低电容瞬变电压抑制二极管

2015-10-15 22:16:09 未知
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Microsemi公司。(纳斯达克:MSCC),通过功率,安全性,可靠性和性能差异化半导体解决方案的领先供应商,今天宣布了一项独特的新系列专利,超低电容功率瞬态电压抑制(TVS )二极管产品。RF) PIN diode expertise, the new devices provide protection of high speed data lines and other applications where the threat requirement's magnitude greatly surpasses the capability of other typical low" style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 宋体; font-size: 14px; line-height: 26px;">利用该公司的50年历史中的高可靠性TVS技术及其独特的射频RF)PIN二极管专业技术,新设备提供保护的高速数据线等应用中的威胁要求的幅度大大超过其他典型的低能力电容TVS器​​件用于以太网保护等数据接口,速度高达每秒500兆位(兆位/秒)。

新1N8149到1N8182和1N8149US到1N8182US表面安装低电容TVS二极管产品可作为150个瓦特(W)的峰值脉冲功率在10/1000微秒的只有四个皮法(pF)的最大非常低的电容。在150W TVS二极管相当于大于1,000W的8/20微秒,均提供电压范围为6.8伏(V)至170V。他们也符合高端工业和航空电子设备的静电放电(ESD),电快速瞬变(EFT),并根据IEC61000-4-2,IEC61000-4-5和RTCA-DO160规格较低的水平雷电的威胁。 500W的10/1000微秒低电容更高的额定功率是在发展中求更高的瞬态威胁。

“对增加飞机电气化,更高的可靠性和更高的燃油效率的趋势是在上升,从而推动了对日益强大的,更轻,更小的TVS解决方案,提供卓越的保护,防止瞬态过电压的发生。从全球需求的角度来看,为保护装置的整体市场很可能达到$ 1十亿,到2018年,“莱昂毛重,为Microsemi的功率分立器件和模块业务部高级主管和业务部门经理说。 “作为高可靠性解决方案的领导者,Microsemi公司继续在全系列创新产品开发执行,以支持该行业的严格和不断变化的需求。”

Microsemi的TVS二极管通过进入雪崩击穿内不超过几个纳秒更一击后,夹紧所述瞬态电压和路由其当前向地面提供飞机和其它电气系统具有严重防护。

Microsemi的:继续保持领导地位在TVS器件

Microsemi的TVS器件已经部署在主要商业飞机机身是目前全世界使用的整个行业。该公司的TVS产品也用在多个发动机控制单元和致动器的控制,以及各种功率分配,环境控制,通信和仪表系统。

1N8149到1N8182和1N8149US到1N8182US表面贴装TVS系列的主要特性包括:

- 150W峰值脉冲功率为10/1000微秒

- 1,000W脉冲峰值的8/20微秒

- 电容:<4 pF的

- 筛选符合MIL-PRF-19500提供给JANTXV

- 击穿电压:6.8V从到170V

- 表面处理:ROHS E3与非E3

- 无卤素

可用性

Microsemi的150W系列低电容TVS二极管适用于所有筛查水平,都装在空隙较少密封的轴向和表面安装玻璃封装。数据表可在http://www.microsemi.com/product-directory/discretes/682-transient-voltage-suppressors#tvs-families。对于产品的实用性,销售和技术信息,请联系Sales.Support@microsemi.com

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