美国专利(12/774,465)“在器件上生长异质外延单晶体或大粒径半导体薄膜的方法”(Methods of Growing Heteroepitaxial Single Crystal or Large Grained Semiconductor Films and Devices Thereon)揭示了改良的气液固薄膜生长技术，该技术首次实现了采用硅、锗和氮化镓等各种材料在廉价衬底上生长的高品质半导体薄膜的低温沉积。 具有成本效益、类似纳米线的薄膜生长工艺，其中包括低共熔合金，非常适合大规模工业应用，可采用当前用于多个行业的电子束和化学气相沉积等普通沉积工艺实现。
