美高森美公司(Microsemi)，该公司近日参加了在上海新国际博览中心举办的某著名电子展。
本次美高森美重点展示产品和解决方案系列包括：ZL70250 超低功率射频(RF)收发器，用于太阳能/光伏逆变器的功率转换技术，美高森美新型单芯片多轴马达控制套件演示，无凸缘 (Flangeless)VRF MOSFET和新型1200V IGBT系列和高可靠性瞬态电压抑制(TVS)产品。
其中最引人注目的是用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南，这些系统以公司独有的数字射频(digital radio frequency, DRF)系列混合模块为基础，广泛应用于半导体加工、LCD玻璃涂层、太阳能电池生产、光学器件及建筑玻璃涂层、有害气体处理、CO2激光激发、MRI RF放大器、RF手术刀和感应加热等系统中。这些模块将RF驱动IC和功率MOSFET集成在单一高性能封装中，能够以高达40 MHz的频率发送1 ~ 3kW功率。设计指南还为系统开发人员提供了包括元器件选择、匹配网络设计、优化输出功率、效率最大化、散热设计等各种RF设计技巧，并针对构建完整的RF发生器所需的电路拓扑提供具体建议。
美高森美MOSRF产品部营销总监Glenn Wright表示：“我们的DRF系列产品同传统的低压RF系统相比具有更加突出的技术优势。这些优势体现在能够解决复杂的设计难题，减小系统体积、提高功率密度和可靠性，并降低总体系统成本，适合各种工业、科学和医学方面的应用。”
美高森美DRF产品系列将最多两个RF驱动器IC、两个功率MOSFET及相关的退耦电容集成在单一封装中。驱动器IC和MOSFET紧密接近，极大的降低了电路电感，同时可提供比分立元件解决方案更高的系统性能，以及实现多种电路配置和系统拓扑。该模块专为提供连续的功率、 Class D和E与脉冲功率应用而设计，仅需5V逻辑电平输入信号，即可发射高达3kW的RF功率。新模块采用美高森美独特的无法兰封装技术，成本比传统替代解决方案更低，而且进一步改善系统性能。
美高森美现提供DRF产品系列的设计指南和其它开发工具和技术支持服务，包括SPICE模型，参考设计工具套件和应用说明。
现场展出的还有两款全新的无磁性500W瞬态电压抑制器(transient voltage suppressor, TVS)阵列，新产品专为核磁共振成像(MRI)设备而设计，能够防止静电放电、电快速瞬变和二次雷击效应引起的电路损坏。美高森美现可提供USBQNM504xx和USBQNM504xxC TVS阵列，这些产品均符合要求，并获得一家主要的医疗设备制造商使用。
美高森美公司高可靠性产品部门营销和业务发展副总裁Simon Wainwright表示：“我们的高性能TVS阵列在封装中使用非铁性材料，因而适用于在强力磁性环境中运作的MRI设备和其它医疗设备。这一特性能够提供额外保护，防止有害电压尖刺损坏敏感的医疗设备中的数据并得出不准确的结果，对病患健康带来不良的影响。”
USBQNM504xx和USBQNM504xxC TVS阵列分别保护单向和双向线路，新的环保无卤素产品采用非铁性四方扁平无铅143脚金属引线框架封装，其符合RoHS标准的“绿色”外壳也与SOT-143封装引脚兼容。其它特性包括：8/20μs脉冲条件下额定功率峰值500W，符合IEC 61000-4-2静电放电ESD保护，IEC 61000-4-4电气快速瞬变(EFT) ，以及二次雷击效应规范，用于敏感电路(包括TTL、CMOS、DRAM、SRAM、HCMOS、HSIC微处理器，以及USB和I/O收发器)的板级保护功能。这套解决方案包括Microsemi的SmartFusion?评估套件和TRINAMIC的马达控制子板(daughter board)套件。
Microsemi获奖的SmartFusion可定制化系统单芯片(cSoC)结合了三个成功编译复杂马达控制算法的重要特性：嵌入式微控制器、可编程模拟模块和现场可编程门阵列(FPGA)。这样的整合方式可提供一个理想平台，以分隔软件和硬件架构需求。SmartFusion的嵌入式ARM Cortex?-M3微控制器可作为系统层任务管理、算法执行和系统连接性之用。板上可编程模拟模块提供电压、电流和温度监控的完整感知与控制功能。闪存式FPGA逻辑用来执行硬件加速与数学协同处理。此外，运算/周期密集的算法程序(routine)可在FPGA内由硬件实现，能够非常快速、有效地执行。
