英飞凌推出业界首款符合太空标准的并行接口1 Mb和2 Mb F-RAM, 扩大其抗辐射存储器产品组合

2024-07-16 11:47:01 未知

2024715德国慕尼黑讯】太空应用是英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的一个重要领域。英飞凌的产品被用于卫星、火星探测器仪器太空望远镜即便极端恶劣的条件下这些应用也必须具备出色的可靠性。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射rad hard1 Mb2 Mb并行接口铁电RAMF-RAM)非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员,其特点是具有出色的可靠性和耐用性,在85摄氏度条件下数据保存期长达 120 年,并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。        微信图片_20240716113435.png

 

英飞凌F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能,该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求,而这些应用历来使用的是速度较慢、不太坚固的EEPROM非易失性存储。与同类产品相比,英飞凌产品的特点包括:更快的存储器随机存取速度;通过采用即时非易失性写入技术提高数据安全性;功耗、极低的编程电压(低至2V)以及20 mA最大工作电流。

英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示“随着越来越多的太空应用被设计成在系统处理数据,而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理,因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加,以配合太空级处理器FPGA实现数据记录应用。英飞凌于2022在该市场推出了首款SPI F-RAM存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于一代太空需求提供一流的、高度可靠灵活的解决方案。 

英飞凌抗辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器仪器数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储以及启动代码存储。除外太空应用这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求-55°C 125°C)。

SPI版本一样,英飞凌新推出的并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性,例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响,且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性(1013个写入周期)意味着不需要损耗均衡。  

并行存储器采用44引线陶瓷TSOP封装并且通过QML-V认证具有出色辐射性能:

– TID>150 Krad(硅)

– SEL>96 MeV·cm 2/mg @115°C

– SEU:免疫

– SEFI<1.34 * 10-4 每日误差/偏差(激活/待机)/免疫(睡眠模式)

 

供货情况

抗辐射F-RAM非易失性存储器产品组合现已全面上市,包括2 Mb SPI存储器以及1 Mb2 Mb并行存储器


关键词: Mb 英飞 产品

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