英飞凌推出950 V CoolMOS™ PFD7系列,内置集成的快速体二极管,可满足大功率照明系统和工业SMPS应用的需求

2022-11-08 13:28:57 来源:英飞凌

20221108日,德国慕尼黑讯】满足当今市场对产品小型化、高能效的需求,英飞凌科技股份公司FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY推出了全新CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列,为950V 超结(SJ)技术树立了新的行业标准。全新950V系列具有出色的性能易用性,采用集成快速体二极管,可确保器件的稳健性,同时降低了BOM(材料清单成本产品专为超高功率密度和超高效率的产品设计量身打造,主要用于照明系统以及消费和工业领域的开关电源SMPS)应用

 

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新产品系列适用于反激式、PFCLLC/LCC设计,包括使电源换向变得稳定而可靠半桥或全桥配置通过集成具有超低反向恢复电荷(Qrr)的超快速体二极管,该系列产品实现了硬换向的稳健性和可靠性,并成为该电压级别更稳健超结 MOSFET可适用于目标应用的所有拓扑结构。此外,开关损耗(EOSSQOSSQg的大幅降低也提高了硬开关和软开关应用的使用效率900V CoolMOS C3 超结 MOSFET相比,MOSFET温度最高可降低4开尔文相较以前,新产品更为绿色环保,其轻载和满载PFC效率提高了0.2%以上,同时可满足LLC效率要求

 

产品系列降低了各种采用SMD封装THD封装的器件的导通电阻(RDS(on)值,最高可降低55%例如DPAK封装中器件的导通电阻值为450 mΩTO247封装中器件的导通电阻值为60 mΩ设计人员可通过减小封装尺寸、大幅提高功率密度节省电路板空间降低BOM成本和生产成本。其柵极-源极阈值电压(V(GS),th)为3VV(GS),th低变化范围±0.5V可方便新器件设计导入和驱动,提高了设计自由度;利用低阈值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式,降低了驱动电压和闲置损耗。另外,与CoolMOS C3相比,新产品系列的栅极电荷改善了60%,大大降低了驱动损耗,而且能够达到人体放电模型(HBM2静电放电敏感度)标准保证了静电放电(ESD)的稳健,进而减少了与ESD有关的设备故障提高了产量

 

供货情况

全新950 V CoolMOSTM PFD7系列提供高度精细化的产品组合采用SMDTHD封装,外形尺寸更小,可帮助提高功率密度节省BOM成本。所有产品型号现已开始供货


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