Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驱动器解决方案

2023-06-16 11:57:17 来源:EETOP

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率,

验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案

 

 

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 6 15 新世代电力系统的未来, 氮化镓(GaN)功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.Nasdaq: TGAN)发布了一款高性能、低成本驱动器解决方案这款设计方案面向中低功率的应用,适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑,加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。

 

不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路,Transphorm SuperGaN® FET由于可以与市售的驱动器搭配使用,更易于驱动,因此可提升客户使用Transphorm器件的成本优势。本次发布的新款解决方案采用高速、非隔离式、高电压半桥栅极驱动器,在不影响 GaN FET 或系统性能的情况下,进一步降低了系统总成本。

 

Transphorm业务发展和市场营销高级副总裁Philip Zuk表示:我们的常关型氮化镓平台能够与业界熟知的市售驱动器配合使用,更适合市场应用,也更受市场欢迎。能够根据需要来选定驱动器,对客户来说是一个非常重要的优势。客户可以为不同性能优势权重的设计挑选相应的驱动,从而更好地控制电力系统的成本。这对价格敏感的终端市场尤为重要。Transphorm GaN能够提供更高性能,采用我们的氮化镓器件,客户可以根据最终结果来挑选BOM,从而以极佳的成本效益实现所需的性能。

 

Transphorm还推荐各种其它驱动器,这些驱动具有高额定隔离电压(控制至输出的驱动信号)、短延迟、快速开启/关断、以及可编程死区时间等等优点,非常适合较高功率的应用。

 

电源适配器、电竟笔记本电脑充电器、LED照明、以及两轮车和三轮车充电等中低功率应用对价格非常敏感,这些产品中的电源系统通常不需要类似安全隔离这样的先进功能,使用高阶的驱动器可能导致BOM成本不必要升高。

 

性能分析

 

该半桥栅极驱动器采用了 Transphorm 650 V72 mΩ PQFN88 封装器件 TP65H070LSG 进行测试。可用于桥式拓扑结构,如谐振半桥、图腾柱 PFC、正弦波逆变器或有源箝位反激式电路。

 

测试结果表明,无论是否使用散热器或强制空气进行冷却,该低成本的驱动解决方案在低于/等于150kHz 的开关频率下均运行良好。此解决方案最终在选定的配置中实现了接近 99% 的效率。

 

获取应用指南

如需了解有关上述解决方案的更多详情,请下载Transphorm应用指南AN0014 : 面向中低功率 GaN FET 应用的低成本、高密度、高电压硅驱动器Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications


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