首页
论坛
博客
大讲堂
人才网
直播
资讯
技术文章
频道
登录
注册
x
MOSFET能够保护ECU免遭电池反接的危害
2015-10-30 19:34:40
未知
点击关注->
创芯网公众号
,后台告知EETOP论坛用户名,奖励200信元
设计用于保护的ECU(电子控制单元),该DMP4015SPSQ,40V P沟道MOSFET是一种简单,低成本的解决方案,说二极管。
二极管允许电流流当电池被正确连接,并且阻断电流,当电池被意外连接在相反的方向。
需要无源元件的最小数量来驱动设备,表示公司,特别是当相比需要电荷泵提供的栅极驱动电压的N沟道MOSFET。
消除一个电荷泵的开关拓扑结构也避免了与EMI辐射的问题。
雪崩崎岖DMP4015SPSQ是100%松开感应开关-
测试
,以确保在MOSFET能够承受如果
电源
被中断,同时供电的电感性负载将发生的最坏情况下的
ISO7637能量脉冲
。
的RDS(ON)低于11米?
以确保最小化了功率损耗和降低温度的操作。
几种的MOSFET并联配置可以进一步降低功率损失,由n2的一个因素。
封装选项的PowerDI 5060,TO252(DPAK)和SO-8封装。
关键词:
EETOP 官方微信
创芯大讲堂 在线教育
半导体创芯网 快讯
相关文章
上一篇:
运算放大器缩小了分析仪器的尺寸,提高
下一篇:
Linear推出电流模式升压型DC/DC 转换
全部评论
最新资讯
美国会通过立法,锁死对华科技投资!
台积电将其最先进芯片制程引入美国!
突发!三星启动内部调查
重磅!芯片巨头平均薪资曝光(英伟达、博通
Littelfuse推出快速切换、低输入电流紧凑型
英飞凌 HYPERRAM™ 存储芯片及 IP成功通
全球智能手机 AP-SoC 份额最新排名:华为
英特尔拟用中国设备产1.4nm芯片 遭美议员
芯片告急!本田减产
林本坚:罗唯仁入局,英特尔麻烦
最热资讯
近半世纪长盛不衰的模拟芯片传奇
重新定义电池精度:Dynamic Z-Track™ 算
干货!高速串行Serdes均衡之FFE
理解ADC微分非线性(DNL)误差
Vishay推出新款高性能且超薄的表面贴装聚合
Qorvo荣获荣耀“质量管理金牌奖”
Spacechips 推动创新型 AI 赋能卫星应用发展
ST推出先进的高性能功率封装
英飞凌推出第五代独立准谐振反激式控制器和
ADI推出医疗与通信专用高速模数转换器AD9653