东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率
2024-09-25 14:33:06 未知东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品,其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。
最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品,其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基(JBS)结构[1]。在结势垒中使用新型金属,有助于这些新产品实现业界领先的[2]1.27 V(典型值)低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。
东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线,并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。
Ø 应用:
- 光伏逆变器
- 电动汽车充电站
- 工业设备UPS的开关电源
Ø 特性:
- 第3代1200 V SiC SBD
- 业界领先的[2]低正向电压:VF=1.27 V(典型值)(IF=IF(DC))
- 低总电容电荷:TRS20H120H的QC=109 nC(典型值)(VR=800 V,f=1 MHz)
- 低反向电流:TRS20H120H的IR=2.0 μA(典型值)(VR=1200 V)
Ø 主要规格:
器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特征 | 样品查看与供货情况 | |||||
重复峰值反向电压VRRM(V) | 正向DC电流IF(DC)(A) | 非重复峰值正向浪涌电流IFSM(A) | 正向电压 (脉冲测量)VF(V) | 反向电流 (脉冲测量)IR(μA) | 总电容电荷 QC (nC) | ||||
温度条件 Tc(°C) | f=50 Hz (半正弦波,t=10 ms),Tc=25 °C | IF=IF(DC) | VR=1200 V | VR=800 V,f=1 MHz | |||||
典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||
TRS10H120H | TO-247-2L | 1200 | 10 | 160 | 80 | 1.27 | 1.0 | 61 | 在线购买 |
TRS15H120H | 15 | 157 | 110 | 1.4 | 89 | 在线购买 | |||
TRS20H120H | 20 | 155 | 140 | 2.0 | 109 | 在线购买 | |||
TRS30H120H | 30 | 150 | 210 | 2.8 | 162 | 在线购买 | |||
TRS40H120H | 40 | 147 | 270 | 3.6 | 220 | 在线购买 | |||
TRS10N120HB | TO-247 | 5(每个引脚) 10(双引脚) | 160 | 40(每个引脚) 80(双引脚) | 1.27 (每个引脚) | 0.5 (每个引脚) | 30 (每个引脚) | 在线购买 | |
TRS15N120HB | 7.5(每个引脚) 15(双引脚) | 157 | 55(每个引脚) 110(双引脚) | 0.7 (每个引脚) | 43 (每个引脚) | 在线购买 | |||
TRS20N120HB | 10(每个引脚) 20(双引脚) | 155 | 70(每个引脚) 140(双引脚) | 1.0 (每个引脚) | 57 (每个引脚) | 在线购买 | |||
TRS30N120HB | 15(每个引脚) 30(双引脚) | 150 | 105(每个引脚) 210(双引脚) | 1.4 (每个引脚) | 80 (每个引脚) | 在线购买 | |||
TRS40N120HB | 20(每个引脚) 40(双引脚) | 147 | 135(每个引脚) 270(双引脚) | 1.8 (每个引脚) | 108 (每个引脚) | 在线购买 |
注:
[1] 改进型结势垒肖特基(JBS)结构:该结构将混合式PiN肖特基(MPS)结构(可在大电流下降低正向电压)整合在JBS结构(不仅可降低肖特基接口的电场,而且还可减少电流泄漏)中。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。