东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率

2024-09-25 14:33:06 未知

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品,为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品,其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。

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 最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品,其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基(JBS)结构[1]。在结势垒中使用新型金属,有助于这些新产品实现业界领先的[2]1.27 V(典型值)低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。

 东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线,并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。

Ø 应用:

- 光伏逆变器

- 电动汽车充电站

- 工业设备UPS的开关电源

Ø 特性:

- 第3代1200 V SiC SBD

- 业界领先的[2]低正向电压:VF=1.27 V(典型值)(IF=IF(DC))

- 低总电容电荷:TRS20H120H的QC=109 nC(典型值)(VR=800 V,f=1 MHz)

- 低反向电流:TRS20H120H的IR=2.0 μA(典型值)(VR=1200 V)

Ø 主要规格:

(除非另有说明,Ta=25 °C)

器件型号

封装

绝对最大额定值

电气特征

样品查看与供货情况

重复峰值反向电压VRRM(V)

正向DC电流IF(DC)(A)

非重复峰值正向浪涌电流IFSM(A)

正向电压

(脉冲测量)VF(V)

反向电流

(脉冲测量)IR(μA)

总电容电荷

QC

(nC)


温度条件

Tc(°C)

f=50 Hz

(半正弦波,t=10 ms),Tc=25 °C

IF=IF(DC)

VR=1200 V

VR=800 V,f=1 MHz

典型值

典型值

典型值

TRS10H120H

TO-247-2L

1200

10

160

80

1.27

1.0

61

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TRS15H120H

15

157

110

1.4

89

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TRS20H120H

20

155

140

2.0

109

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TRS30H120H

30

150

210

2.8

162

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TRS40H120H

40

147

270

3.6

220

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TRS10N120HB

TO-247

5(每个引脚)

10(双引脚)

160

40(每个引脚)

80(双引脚)

1.27

(每个引脚)

0.5

(每个引脚)

30

(每个引脚)

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TRS15N120HB

7.5(每个引脚)

15(双引脚)

157

55(每个引脚)

110(双引脚)

0.7

(每个引脚)

43

(每个引脚)

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TRS20N120HB

10(每个引脚)

20(双引脚)

155

70(每个引脚)

140(双引脚)

1.0

(每个引脚)

57

(每个引脚)

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TRS30N120HB

15(每个引脚)

30(双引脚)

150

105(每个引脚)

210(双引脚)

1.4

(每个引脚)

80

(每个引脚)

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TRS40N120HB

20(每个引脚)

40(双引脚)

147

135(每个引脚)

270(双引脚)

1.8

(每个引脚)

108

(每个引脚)

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注:

[1] 改进型结势垒肖特基(JBS)结构:该结构将混合式PiN肖特基(MPS)结构(可在大电流下降低正向电压)整合在JBS结构(不仅可降低肖特基接口的电场,而且还可减少电流泄漏)中。

[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。


关键词: 东芝 二极管 工业电子

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