图源：pixabay
台积电以不超过4.328亿美元额度，取得英特尔旗下IMS事业（奥地利商艾美斯电子束科技）10%股份，预计第四季完成交易，推动EUV（极紫外光）先进曝光技术的创新。 业界持正面看法，而韩媒认为这将加剧2纳米制程的竞争状况。
韩媒Business Korea对于台积电这次收购感到吃惊，因为IMS是开发EUV设备所需的多光束光罩写入工具的领导厂商，市占率达98%; 该公司生产的多光束光罩写入工具能更精确、快速地刻制光罩，有效改变半导体业的游戏规则。
业界人士甚至认为，如果没有IMS设备，ASML的EUV光刻机恐毫无用处，而台积电与英特尔合作似乎是期待ASML下一代High-NA EUV微影曝光设备。 随着曝光设备在7纳米以下制程的重要性不断增加，台积电打算深化现有的技术合作。
天风国际证券分析师郭明錤则认为，台积电Arm与IMS这两笔投资主要目的为提高垂直整合能力，确保从目前3纳米的FinFET技术能顺利转换到2纳米的GAA技术。 其中，投资IMS则可确保关键设备的技术开发与供应能满足2纳米商用化的需求。
英特尔2009年投资IMS，2016年收购剩余股份，今年6月则释出20%股份给贝恩资本（Bain Capital）。
至于紧追在台积电身后的三星，曾于2012年以7,000亿韩圜收购ASML 3%股份，以合作未来的曝光机开发; 但到2016年，三星以收回投资为由出售一半ASML股份，截至今年第二季末，三星仅保留0.7%股份。
但尽管如此，产业专家认为三星和ASML的合作关系仍相当牢固，据了解，三星正准备确保下一代EUV微影曝光设备High-NA的产量，预计这款设备将于今年晚时推出原型，明年正式供货。
报导预计，SK 海力士、台积电和英特尔都将加入下代曝光设备的竞争; 另一方面，2纳米制程竞争也不断升级。 台积电去年宣布已准备试产2纳米产品，以维持领先地位，三星则计划利用GAAFET技术来弯道超车，随着英特尔和Raapidus也加入2纳米战局，先进制程竞争将更加激烈。
