DRAM 工艺与逻辑工艺一样，在20nm节点开始渐渐陷入难以制造的问题。三星作为全球的DRAM 一哥，一直走在技术研发的前列，但在面对新一代DRAM 技术的研发上陷入困境，近期甚至有报道称三星的13nm 工艺DRAM 已宣告失利。
DRAM 工艺从20nm 节点开始就使用了不同的断代方法，此前使用的是1x、1y、1z工艺，后来有了1α、1β和1γ工艺。虽然是这么说，但三星、SK Hynix 和美光三大DRAM 巨头的实际工艺却不完全符合，有时候公布的是采用数字+nm 进行命名，所以现在的DRAM 工艺命名存在一些混乱。目前三星的DRAM 工艺是最先进的，在2020年率先研发出1z 工艺DRAM ，大概是在15nm 级别工艺。随后在2021年宣告研发成功1α工艺DRAM ，换算下来是在14nm 级别工艺，还是首次使用了EUV 光刻工艺。再往后是1β 工艺，大概在12-13nm 级别工艺。Samsung 于去年宣布成立专门的研发团队进行攻克，但近期有消息称Samsung 已经停止了相关研发，意味着13nm 级别工艺DRAM 技术研发被间接承认失败。三星的举动是否代表DRAM 工艺会在14nm 之后进入停滞呢？三星表示会对研究方向进行探讨，似乎还在努力研究其可能性。当下只知道在14nm 之后的研发工作会十分困难，很可能两年时间都无法推前1nm 的工艺。
