英特尔在14奈米及10奈米制程推进出现延迟，已影响到
处理器推出时程，也让业界及市场质疑：摩尔定律是否已达极限？不过，
英特尔仍积极寻求在7奈米时代
重回摩尔定律的方法，其中两大武器，分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光（
EUV），以及开始采用包括砷化铟镓（InGaAs）及磷化铟
（InP）等三五族
半导体材料。
摩尔定律能否持续走下去，主要关键在于微影技术难度愈来愈高。目前包括
英特尔、
台积电、三星等大厂，主要
采用多重曝光（multi-patterning）的浸润式微影（immersion
lithography）技术，但当制程技术走到10奈米世代时，高密度的逻辑IC需要进行至少4次的曝光制程，制造成本自然大幅拉高。
为
了解决微影曝光制程的成本问题，
半导体大厂近几年已着手进行
EUV微影技术的研发，近一年来，
EUV技术虽然有明显突破，但在量产上仍未达到该有的经济规
模。不过，根据
EUV设备大厂艾司摩尔（
ASML）的说明，今年若能将每日曝光晶圆产能提高到超过1,500片，将有助于业界开始采用
EUV技术。
英
特尔已规画在7奈米制程开始采用
EUV技术，若是可以达到量产经济规模，则
英特尔可望在7奈米世代重新回到摩尔定律的循环。至于
台积电部份，已计画在7奈
米开始进行试产，若一切顺利，将可在5奈米世代开始导入
EUV技术。不论
英特尔或
台积电，
EUV量产的时间点约落在2020年左右。
半导体材料也是延续摩尔定律的重要改变。
英特尔已开始试着采用包括砷化铟镓（InGaAs）及磷化铟（InP）等三五族
半导体材料，希望能够在7奈米之后进行材料上的改变，只要能重回摩尔定律的循环，
英特尔的
处理器发展策略就可回到二年循环的轨道。
台积电16奈米开始采用鳍式场效电晶体（FinFET）制程，而10奈米及7奈米世将延续采用FinFET技术，而到5奈米之后，也已计画更改
半导体材料。据了解，
台积电很有可能会在5奈米世代采用InGaAs的三五族
半导体材料，来维持摩尔定律的有效性。
