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比利时独立研究所Imec于2020年1月成功在300mm Si衬底上形成了GaAs异质结双极晶体管(HBT)器件,并在200mm Si衬底上成功形成了与CMOS兼容的GaN器件。 两者都是为用于5G及更高版本的下一代通信(6G)
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