设计任何芯片的关键步骤之一就是在获得第一批芯片后进行的测试。在测试中,您终于可以看到全部悉心工作的成果,并确定芯片是否按照设计和仿
现代宽禁带功率器件(SiC, GaN)上的开关晶体管速度越来越快,使得测量和表征成为相当大的挑战,在某些情况下几乎不可能实现。隔离探测技术
随着新基建概念的提出,5G和数据中心的建设在2020年进入快车道,海量的光模块需求引领着行业的更新换代,对光器件提出了更高的要求。在光通
各种各样的应用通常要在许多类型的器件上执行电容-电压(C-V)和AC阻抗测量。例如,C-V测量用来确定以下器件参数:MOSCAPs的栅极氧化物电容、
半导体电容一般是皮法 (pF) 级或纳法(nF) 级。许多商用 LCR 或电容表可以使用适当的测量技术测量这些值,包括补偿技术。但是,某些应
由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低,宽禁带半导体(SiC 和 GaN)现在配合传统硅一同用于汽车和 RF 通信等严苛应用中
聚焦于PCIe 3 0和4 0中的动态均衡技术,本文介绍其原理、实现及其相关的一致性测试,这种动态均衡技术被称作Link Equalization(链路均衡
PCIe接口自从被推出以来,已经成为了PC和Server上最重要的接口。为了更高了数据吞吐率,PCI-SIG组织不断刷新接口标准,从PCIe 3 0的8GT s