Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

2023-05-24 08:29:35 来源:EETOP

2023年5月23日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,正向压降、电容电荷和反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

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日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件,采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用MPS结构,器件正向压降比上一代解决方案低0.3V,正向压降与电容电荷乘积,即电源能效重要优值系数(FOM),相比上一代解决方案降低17%。

 

与接近的竞品解决方案相比,二极管室温下典型反向漏电流低30%,高温下低70%。因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同,第三代器件几乎没有恢复拖尾,从而能够进一步提升效率。

 

与击穿电压相当的硅二极管相比,SiC二极管热导率高,反向电流低,反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响,可在+175 °C高温下工作,不会因开关损耗造成能效变化。

 

器件典型应用包括发电和勘探应用领域FBPS和LLC转换器中的AC/DC功率因数校正(PFC)和 DC/DC超高频输出整流。器件具有高可靠性,符合RoHS标准,无卤素,通过2000小时高温反偏(HTRB)测试和2000次热循环温度循环测试测试时间和循环次数是AEC-Q101规定的两倍。

 

产品编号

IF(AV) (A)

IFSM (A)

IF 下VF (V)

QC (nC)

配置

封装

VS-3C04ET07S2L-M3

4

29

1.5

12

D2PAK 2L

VS-3C06ET07S2L-M3

6

42

1.5

17

D2PAK 2L

VS-3C08ET07S2L-M3

8

54

1.5

22

D2PAK 2L

VS-3C10ET07S2L-M3

10

60

1.46

29

D2PAK 2L

VS-3C12ET07S2L-M3

12

83

1.5

34

D2PAK 2L

VS-3C16ET07S2L-M3

16

104

1.5

44

D2PAK 2L

VS-3C20ET07S2L-M3

20

110

1.5

53

D2PAK 2L

VS-3C04ET07T-M3

4

29

1.5

12

TO-220AC 2L

VS-3C06ET07T-M3

6

42

1.5

17

TO-220AC 2L

VS-3C08ET07T-M3

8

54

1.5

22

TO-220AC 2L

VS-3C10ET07T-M3

10

60

1.46

29

TO-220AC 2L

VS-3C12ET07T-M3

12

83

1.5

34

TO-220AC 2L

VS-3C16ET07T-M3

16

104

1.5

44

TO-220AC 2L

VS-3C20ET07T-M3

20

110

1.5

53

TO-220AC 2L

VS-3C16CP07L-M3

2 x 8

54

1.5

22

共阴极

TO-247AD 3L

VS-3C20CP07L-M3

2 x 10

60

1.46

29

共阴极

TO-247AD 3L

VS-3C40CP07L-M3

2 x 20

110

1.5

53

共阴极

TO-247AD 3L

 

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为八周。


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