奈梅亨,2021年10月21日:基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款PESD5V0R1BxSF器件,即具有极低钳位和电容的双向静电放电(ESD)保护二极管。该器件采用Nexperia TrEOS的主动可控硅整流技术的技术,可确保笔记本电脑和外围设备、智能手机及其他便携式电子设备上的USB4TM(高达2 x 20 Gbps)数据线拥有最佳信号完整性。
两种器件都采用超低电感DSN0603-2 (SOD962-2)无铅引脚封装,管脚尺寸为标准的0.6 mm x 0.3 mm、厚度为0.3 mm并且具有优化回波损耗的焊盘。对于USB4TM,接收器(Rx)输入也必须具有交流耦合电容。PESD5V0R1BxSF器件的额定电压VRWM(>2.8 V)允许其可以直接放置在连接器后面,这是在保护电路的电容与实现出色的系统级ESD性能的首选位置。这个额定电压使其能向下兼容通过USB Type-C®连接的所有标准。其中包括USB4TM、USB 3.2、旧版USB3.x以及ThunderboltTM和HDMI2.1®(HDMI®交替模式)数据线,支持高达48 Gbps (4 x 12)的HDMI2.1数据速率和高达40 Gbps (2 x 20)的ThunderboltTM数据速率。同时,TrEOS技术能够确保极低的ESD钳位电压以保护敏感的收发器。