SuVolta Deeply Depleted Channel (DDC)晶体管技术
SuVolta的DDC晶体管降低阈值电压波动，以实现持续的CMOS微缩。该结构在门极加偏压时形成深度耗尽通道。在典型应用中，DDC通道包括几个部分：未掺杂或轻度掺杂区，VT设定区以及屏蔽区。不同应用中SuVolta的DDC晶体管会取决于芯片加工厂或特定芯片设计要求而略有不同。
未掺杂或轻度掺杂区去除通道中的杂质以形成深度耗尽通道。这将减小随机杂质波动（RDF）从而实现降低VDD，并提高载流子迁移率以增加有效电流。
VT设定区设定晶体管阈值电压而不影响载流子迁移率。该区也将改善传统晶体管的VT分布。
屏蔽区起屏蔽电荷并设定耗尽层深度的作用，并且其基体效应使得在需要的时候通过偏压动态调节VT成为可能。
DDC晶体管通过降低工作电压来实现低功耗运行。通过控制VT波动，使用SuVolta DDC技术设计的芯片将获益良多，包括：
• 工作电压降低百分之三十而不影响效能;
• 大幅降低漏电流；
• 减少设计“保护频带”；
• 提升良率。
此外，DDC晶体管允许设定多重VT，这对当今低功耗产品至关重要。除了显著降低VT波动所带来的优势，DDC晶体管还具备其他优点，可以在高速运作中进一步降低功耗。这些优点包括：
• 提高通道载流子迁移率从而增加驱动电流;
• 减小漏极引发势能降低（DIBL）;
• 提高基体效应系数以实现更佳VT控制。
SuVolta公司首席技术长Scott Thompson博士指出：“有些时候单纯减小芯片尺寸并没有太大意义。光刻成本的增加导致每只晶体管成本饱和，正在终结摩尔定律。我相信目前的28nm和20nm将会是长期的技术结点。除了微处理器，移动市场的大多数芯片都更看重成本控制和低功耗。SuVolta的DDC结构独特之处在于它是唯一的可与现有CMOS工艺集成以及制造设备完全兼容的晶体管方案，使得半导体公司可以保持他们已有的电路知识产权。”
Kleiner Perkins Caufield & Byers合伙人Bill Joy表示：“工业界如果想持续发展移动电子产品，必须提升核心技术。SuVolta发明了基于平面基体CMOS工艺的突破性技术，用于解决半导体工业界最大的挑战 – 功耗”
