英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列, 适用于高成本效益的先进电源应用

2024-06-26 12:09:11 英飞凌

2024626德国慕尼黑英飞凌科技股份公司(FSE代码IFX / OTCQX代码IFNNY)推出600 V CoolMOS 8 高压超结SJMOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性,是P7PFD7C7CFD7G7  S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案,丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容该系列产品配备集成式快速体二极管,适用于服务器和工业开关模式电源装置SMPS、电动汽车充电器微型太阳能等广泛应用。

 

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600 V CoolMOS 8 600 V QDPAK TSC

 

这些元件采用SMD QDPAKTOLLThinTOLL 8 x 8封装,不仅简化了设计,还降低了组装成本。在10 V电压下600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的栅极电荷QgCFD7降低了18% P7降低了33%。在400 V电压下该产品系列的输出电容COSSCFD7P7降低了50%关断损耗Eoss CFD7P7降低了 12%,反向恢复电荷Qrr)较CFD7降低了3%。此外,这些器件的反向恢复时间(trr更短,热性能上一代产品提高了14%42%

 

凭借这些特性,该系列器件能够LLCZVS 相移全桥等软开关拓扑结构中实现高效率和高可靠性。它们在 PFCTTF其他硬开关拓扑中同样具有出色的性能水平。由于优化了RDS(on)这些半导体器件拥有更高的功率密度使采用硅基超级结SJ技术的产品降低到7 mΩ位数值。

 

供货情况

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET样品现已推出


关键词: 英飞 适用于 电源

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