东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”,并计划于2013年8月投入量产。
通过优化芯片设计,可将其每单位面积导通电阻(Ron·A)较同类产品1约降低24%;而门极电荷(Qg)性能降低约24%,则可将关断时间(toff)改善约28%。
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