新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83mΩ的低导通电阻
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、热增强型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK® SC-70 2mm x 2mm占位面积的100V N沟道器件，导通电阻分别小于200mΩ和100mΩ。
今天推出的MOSFET适用于升压转换器、低功率DC/AC逆变器，以及电信砖式电源、负载点应用和便携式设备中的LED照明等小型DC/DC转换器的初级侧开关。对于设计者来说，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节省PCB空间，其低导通电阻可实现更低的导通电阻，从而降低能源消耗，提高效率。另外，MOSFET可在4.5V下导通，简化了栅极驱动。
在导通电阻比尺寸更重要的应用中，2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大导通电阻为83mΩ和130mΩ，导通电阻与栅极电荷乘积在10V和4.5V下分别为540mΩ-nC和455mΩ-nC，该参数是DC/DC转换器应用中评价MOSFET的优值系数(FOM)。对于尺寸大小更重要的应用，1.6mm x 1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大导通电阻为185mΩ和310 mΩ，在10V、4.5V下的FOM为611mΩ-nC和558mΩ-nC。
SiB456DK和SiA416DJ进行了100%的Rg和UIS测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。
新款MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
