P通道和N通道功率MOSFET的主要特性:
(1) 业界领先的低导通电阻 (N通道,µPA2600和µPA2601)
µPA2600和µPA2601 MOSFET采用的是2 mm × 2 mm超紧凑型封装,20 V (VDSS) µPA2600 器件实现了9.3 mΩ (在VGSS=4.5 V的典型值)的导通电阻,30 V µPA2601器件实现了10.5 mΩ (在VGSS=10 V下的典型值) 的导通电阻,从而达到了终端产品的节能目的。
(2) 可以降低安装区域的超小型封装
瑞萨电子通过将大面积的高性能芯片置于超小型的封装,并通过采用裸露的散热型小封装,实现了超紧凑型2 mm × 2 mm封装的应用,有效降低了从封装传到安装板的热量。与现有的3 mm × 2 mm封装相比,µPA2600和类似产品可以减少大约30%的安装面积,而与现有3 mm × 3 mm封装相比较,µPA2672和类似产品可以减少大约40%的安装面积。这将有助于降低终端应用产品的尺寸和重量。
(3) 器件的扩展阵列
8个在产品中,新的P通道和N通道功率MOSFET集中在12至30V,用于常见的便携设备:4个P通道产品包括µPA2630,3个n通道产品包括µPA2600,还有µPA2690,此产品将N通道和P通道器件全部集成在一个单独的封装中。因此,这一系列可以支持多样化的应用,包括充电/放电控制,RF功率放大器开/关控制和过流切断开关。
新款功率MOSFET产品为环保型产品,符合RoHS指令(注1)和无卤要求。
在便携式电子产品领域,设备的多功能性在不断提高,而由于像智能手机这类设备的外形尺寸不断趋向薄型化,因此元件可用的安装空间也在日益变得更有限。为了满足对于小型化和更高性能的要求,瑞萨将持续开发新产品,它们将保持之前产品的性能水平,但能满足更小安装空间的要求,同时扩展其系列,从而有助于进一步实现便携设备的小型化和更高性能。
(注1)欧盟RoHS指令:欧洲议会的2002/95/EC指令和欧盟委员会在2003年1月27日关于即在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令。
定价和供货情况
瑞萨电子新型µPA2600和µPA2601功率MOSFET的样品将于2012年4月推出,定价为每片0.4美元。量产计划于2012年5月开始,到FY2013的上半年所有八个产品每月的总共产量将达到3,000,000件。