IPDIA是领先的硅电容制造商。该公司日前宣布推出一种新的高温硅电容，可在1206封装尺寸里达到最高电容值。
事实上，当标准技术提供了一个100 nF的1206封装电容温度可达200°C时，IPDIA可以自豪地展示他们令人惊叹的1µF的具有相同封装尺寸电容，其温度可高达250°C。
此外，IPDIA高温硅电容器工作温度范围为-55°C至+200°C间，电容位移限制在+/-1％。其极端温度范围显示了-55°C至+250°C的相同的电容位移。
由于其独有的3D硅技术，IPDIA还可以提供厚度低至100µm的最节省空间的解决方案。
“高温，高稳定性和尺寸减少是许多今天的电子元器件在国防，航空航天，汽车和工业领域的高可靠性应用中关键的设计因素。”IPDIA营销总监洛朗·杜博斯(Laurent Dubos)说， “我们的三维硅技术给电容器业务带来了骄人的业绩。比如，在关键的测量和传感器应用中，如此高的工作温度（超过200°C）集体积小稳定性高的特点，早在设计阶段就提供了高度可靠的解决方案，这将缩短设计周期，并带来最具竞争力的产品将之更快地推向市场。”
此电容可确保在恶劣环境下的可靠的和长期使用的性能。它专门设计应用在军事和航空航天（如雷达，制导系统，通讯，定位系统和预警系统），引擎盖下的设备以及石油和天然气工业（下降钻孔）领域。
无论您的要求是什么......六个标准封装可供选择，包括EIA1005，0201，0402，0603，0805和1206尺寸。电容器可选择11 V和100 V的直流电压等级，电容量可从pF到12µF。电容公差包括+/ -5％，+/ -10％和+/ -20％。现可提供样品与量产。
