Vishay发布采用独特SurfLight表面发射器技术的新款850nm红外发射器

器件具有1A的高驱动电流和170mW/sr的高发光强度，采用Little Star^®封装，占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm，热阻系数低至10K/W

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 11 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star^®封装，占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驱动电流、发光强度和光功率，同时具有低热阻系数。

VSMY7850X01发射器包含一个42mil芯片，驱动电流达1A，脉冲电流可达5A，VSMY7852X01包含一个20mil芯片，驱动电流达250mA，脉冲电流达1.5A。由于VSMY7850X01和VSMY7852X01的热阻系数只有10K/W和15K/W，两款器件几乎在-40℃～+100℃的整个工作温度范围内都能采用最大电流。

Vishay的SurfLight表面发射器技术使用一种独特的硅片结构，在这个结构中所有从半导体内产生的光都从芯片的顶表面发射出来，从而使VSMY7850X01在1A电流下的发光强度高达170mW/sr，光功率高达520mW，正向压降只有2V；SMY7852X01在250mA电流下的发光强度高达42mW/sr，光功率高达130mW，正向压降只有1.8V。今天发布的两款器件通过了AEC-Q101