恩智浦
半导体（NXP Semiconductors）今天宣布推出两种拥有0.65 mm的行业最低高度新2 mm x 2 mm小信号分立无铅封装。通过具有良好的热性能和导电性的无遮蔽散热片，塑料SMD（表面封装器件）封装的使用寿命得到了提高，并提供3引线（SOT1061）和6引线（SOT1118）两个版本。新产品包括26款FET-KY、双P通道 MOSFET、低VCesat晶体管和肖特基整流器 ，最高功耗Ptot 2.1 W。该性能大致与行业标准封装SOT89（SC-62）相当，但是只占用一半的电路板空间。
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半导体小信号分立器件产品市场经理Ralf Euler表示：“电路板空间以及功率耗散是当前纤薄紧凑型电池供电设备设计中的关键因素，恩智浦提供了一系列广泛的小型封装组合来支持业界实现更小尺寸的终端设备。新的产品线是移动设备、智能手机和掌上电脑中高性能充电电路、负载开关以及开关
电源（SMPS）等应用的理想选择。”
SOT1061和SOT1118封装中不含卤素与氧化锑，并符合耐燃性等级UL 94V-0和RoHS标准。
采用SOT1118封装的双P通道MOSFET/ FET-KY（PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMDPB65UP）
全新SOT1118封装的两款20V/3A FET-KY（集成了低VF的肖特基二极管）和一款20 V双P沟道MOSFET将于六月底发布。
提供额外的1 kV（HBM）防静电（ESD）保护，提高了ESD强健性。
在带有ESD保护的20V级别的产品中，新的FET- KY（PMFPB6532UP和PMFPB6545UP）导通电阻为业界最低，栅极电压（VGS）4.5 V下额定电阻为80毫欧。而为了提高能效，在电流1A时其正向导通电压（VF）也同样为业界最低，分别为365 mV和520 mV。双P沟道MOSFETPMDPB65UP在4.5V的VGS 下拥有低至70毫欧的导通电阻，是高效
电源管理应用的理想选择。
全新SOT1061封装的14款高效低 VCEsat晶体管符合其作为突破性小信号（BISS）晶体管的称号：6A电流下的超低饱和电压低至200mV，相当于只有33毫欧的RCEsat。
涵盖了12V～100V的全部电压范围，新的PBSS*PA系列集电极电流（ICM）峰值高达7A。
便于客户采用SOT1061封装产品代替大尺寸封装的晶体管，从而在更小的占位面积上达到相同的性能。
采用SOT1061封装的低VF肖特基整流器（PMEG*EPA系列）
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半导体公司的PMEG*EPA肖特基整流器，不仅具备低正向压降，而且拥有高正向电流，是该类器件中第一款置于无铅中功率SOT1061封装中的产品。
五个符合AEC-Q101标准的的单一类型，平均正向电流高达2A，反向电流在 20V和60V之间。并将在今年六月新增四个1A和2A的双整流器。
集成的保护环用于应力保护，与市场上其他同类产品相比，拥有更高的性能和效率。
