意法
半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法
半导体最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。
在一个尺寸仅为8x8mm的无引脚封装外壳内，全新1mm高的贴装封装可容纳工业标准的TO-220大小的裸片，并提供一个裸露的金属漏极焊盘，有效排除内部产生的热量。薄型封装将使设计人员能够设计更薄的
电源外壳，为当今市场提供紧凑时尚的新产品。客户可从两个公司获得这款新的标准产品：意法
半导体和英飞凌（Infineon Technologies）均将推出采用这个创新封装的MOSFET晶体管，意法
半导体的产品名称是PowerFLAT 8x8 HV，英飞凌的产品名称是ThinPAK 8x8，从而为客户提供高品质双货源供货。
新封装的纤薄外形和优异的散热性能，结合意法
半导体MDmesh V技术的无与伦比的超低单位裸片面积导通电阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，节省印刷电路板空间。意法
半导体将在现有的MDmesh V 产品阵容内加入Powe
RFLAT 8x8 HV封装的MOSFET，目前已发布该系列首款产品：650V STL21N65M5。
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半导体功率晶体管产品部市场总监Maurizio Giudice表示：“我们与英飞凌的合作卓有成效，已开发出一项高性能封装技术，我们的客户可以获得尖端的应用设计和全球两大功率
半导体厂商支持的
芯片封装。这项具有突破性的封装技术结合意法
半导体独有的业内最先进的MDmesh V制程，我们的全新MOSFET将提供相同额定电压产品中最高的功率密度和能效。”
STL21N65M5的主要特性：
· RDS(ON)：0.190Ω
· 最大额定输出电流 （ID）：17A
· 结到外壳热阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W
