三星分享 2nm 1.4nm 以及 5nm射频计划

2023-06-29 12:50:01 来源:EETOP

三星2023年年度三星代工论坛 (SFF) 公布了更新的制造技术路线图。该公司有望分别于 2025年和 2027年在其 2纳米和 1.4纳米级节点上生产芯片。此外,该公司还计划在未来几年增加领先的 5 纳米级射频制造工艺并开始生产 GaN 芯片

SF3(第二代 3nm 级)相比(在相同晶体管数量下),三星预计其 SF2(2nm 级)制造技术可将功率效率提高 25%(在相同频率和晶体管数量下),将性能提高 12%(在相同功率和复杂性下),并将面积减少 5%该公司 。该公司将于 2025 年开始在 2nm 节点上制造移动 SoC,并于 2026 年跟进 HPC 增强型 SF2P 节点同时,SF1.4(1.4nm级)制造工艺预计将于2027年提供给三星客户。

为了使其 SF2 节点更具竞争力,三星打算确保其客户很快就能获得一系列高质量的 SF2 IP,包括 LPDDR5xHBM3PPCIe Gen6  112G SerDes 等接口。

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除了为智能手机、客户端 PC 和数据中心 SoC 提供领先技术外,三星还计划在未来几年提供专门的制造工艺。其中包括 2027 年为汽车应用量身定制的 SF2A,以及 2025 年的 5nm 射频 (RF节点。与当前一代 14nm RF 工艺相比,即将推出的 5nm RF 预计将功率效率提高 40%,并将晶体管密度提高约 50% 

三星还计划于 2025 年开始生产氮化镓 (GaN) 功率半导体。这些芯片将面向各种应用,从消费电子产品到数据中心和汽车行业。 

三星代工厂不仅专注于扩大其技术组合,还致力于增强其在美国和韩国的制造能力。该公司计划于 2023 年下半年在平泽 3 号生产线(P3)开始大批量生产芯片。至于位于德克萨斯州泰勒的工厂,预计将于今年年底完成建设,其预计将于 2024 年下半年开始运营。 

作为其宏伟目标的一部分,三星计划到 2027 年将其洁净室总产能提高 7.3 倍,与 2021 年拥有的产能相比大幅增长。


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