台积电为苹果及英伟达试产2纳米芯片

2023-06-19 11:56:51 来源:technews

外媒报道,全球晶圆代工龙头台积电不但已开始开发2纳米制程,拉大了与竞争对手的差距,而且台积电最近也开始准备为Apple英伟达(NVIDIA开始试产2纳米产品。另外,为了开发2纳米制程技术,台积电将派遣约1000名研发人员前往位在竹科,目前正在建设中的Fab 20晶圆厂工作。

外媒Patently apple报道指出,三星电子于2022年6月采用GAA技术开始量产3纳米制成芯片,比台积电提前6个月,成为全球首家量产该制程技术的企业。而受到三星先发制人的冲击,台积电高层多次公开2纳米制程技术的发展计划,形成先进制程发展竞赛。

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除了台积电之外,先前宣布计划在2021年重新进入晶圆代工业务的处理器大厂英特尔Intel)也加入了先进制程研发竞赛。 这家美国半导体大厂在当地时间61日的线上活动中公布其芯片背面电源解决方案PowerVia的技术发展、测试数据和路线图,开始扩大其在晶圆代工产业的影响力。据报道,当前的台积电还在开发芯片背面供电的技术,目标是到 2026 年使用该技术。

此外,英特尔设定了一个目标,就是在2024年下半年将其代工技术推进到1.8纳米的节点。3月,该公司制定了一项计划,就是藉由与ARM建立合作伙伴关系,达成1.8纳米制程技术的量产。不过,市场人士也存在一些不确定看法,认为即使英特尔按照路线图取得成功,但最终要达到收支平衡,对公司来说仍是一个很大的挑战。

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报道还说明了台积电另一竞争对手三星的情况,就是三星DS部门总裁Kyung Kye-hyun于5月初的一次演讲中表示,三星计划超越台积电,目标就是从比台积电更早使用GAA技术的2纳米制程开始。

事实上,台积电除了先进制程之外,也透过先进封装技术来维持技术的领先。不久前,台积电就宣布先进封测六厂启用正式启用,成为台积电首家达成前后端制程 3DFabric 整合一体化自动化先进封测厂和测试服务工厂。同时,也为TSMC-SoIC(系统整合芯片)制程技术的量产做准备。先进封测六厂的启用,将使台积电对SoIC、InFO、CoWoS、先进测试等各项TSMC 3DFabric先进封装与硅堆叠技术,拥有更完整及灵活的产能规划之外,也带来更高的生产良率与效能协同效应。

台积电营运/先进封装技术暨服务、品质暨可靠性副总经理何军表示,微晶片堆栈是提升芯片效能与成本效益的关键技术,因应强劲的三度集成电路市场需求,台积电已完成先进封装及矽堆叠技术产能的提前部署,透过3DFabric平台提供技术领先与满足客户需求产能,共同实现跨时代科技创新,成为客户长期信赖的重要伙伴。


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