Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计

2023-01-31 07:55:53 来源:EETOP

2023年1月30日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DTSiZF5302DT,将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DTSiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化设计。

 

日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件,节省50%基板空间,同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(POL)转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中,SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果,特别是在1 A到4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A到15 A重载的理想解决方案。

 

SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 mW和2.93 mW,SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 mW和4.4 mW。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM),比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%,100 W能效达到98%。

 

与前代解决方案对比

技术规格 / 器件编号

SiZF5302DT

(Gen V)

前代解决方案

(Gen IV)

SiZF5302DT对比前代解决方案

封装

PowerPAIR 3x3FS

PowerPAIR 6x5F

63 %↓

VDS (V)

30

30

-

RDS(ON) 典型值

@ 4.5 V (mW)

4.4 (通道1)

4.4 (通道2)

4.0 (通道1)

1.2 (通道2)

-

Qg @ 4.5 V (nC)

6.7 (通道1)

6.7 (通道2)

11 (通道1)

46 (通道2)

-

FOM (mΩ*nC)

29 (通道1)

29 (通道2)

44 (通道1)

54 (通道2)

35 % ↓

46 % ↓

能效

@ 20 VIN / 12.5 VOUT /

800 kHZ / 100 W

98 %

96 %

2 %↑

 

器件采用倒装芯片技术增强散热能力,独特的引脚配置有助于简化PCB布局,支持缩短开关回路,从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

 

器件规格表: 

产品编号

SiZF5300DT

SiZF5302DT

VDS (V)

30

30

VGS (V)

+ 16 / -12

+ 16 / -12

RDS(on) 典型值 (mΩ) @

10 V

2.02

2.7

4.5 V

2.93

4.4

Qg (典型值) @ 4.5 V (nC)

9.5

6.7

ID (A) @

TA = 25 °C

125

100

TA = 70 °C

100

80


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