在三星代工厂使用其 3GAE（3nm 级，gate-all-around early）节点开始大批量生产几个月后，台积电终于也开始了基于其首个 N3（3nm 级）制造工艺大规模生产芯片。
我们知道三星3纳米的良率很低，良率在早期阶段只有10% 到 20%不等。那么台积电3纳米良率会有多高？
最近Business Next发布了一份报告，该报告引用了各种行业分析师和专家的话，认为相比于三星，台积电的良率情况要好得多，但台积电尚未证实这些报告。
Business Next采访的半导体行业分析师和专家估计，目前台积电的N3良率可低至60%至70%，或高达75%至80%，对于首批来说已经相当不错。与此同时，金融分析师 Dan Nystedt 在推特 上表示，台积电目前的 N3 良率与早期的 N5 良率相似，据媒体报道，该良率可能高达 80%。
相比之下，三星代工厂的 3GAE 良率在早期阶段从 10% 到 20% 不等，并且没有改善，该报告援引行业消息来源但未详细说明。此外，报告称，芯片质量的可变性非常高。
虽然估计差异很大，但关于台积电当前的 N3 产量，有几件事需要注意。首先，我们不知道良率是针对通过台积电 Fab 18 运行的商业晶圆计算的，还是针对包含台积电客户各种 IP 的商业和穿梭（测试）晶圆计算的。其次，除了台积电及其客户之外，没有人知道此时商用或穿梭晶圆的确切良率。第三，如果我们只考虑商业晶圆，目前台积电的N3用于早期采用者的设计数量非常有限，尽管这是基于市场传闻。
请记住，台积电倾向于开发其领先的生产技术，同时考虑到苹果公司（其最大的客户和领先节点的阿尔法客户）的要求，这家总部位于加利福尼亚州库比蒂诺的高科技巨头会根据台积电的能力量身定制其设计，初始良率可能高达 80% 也就不足为奇了。同时，对于为大众市场产品提供动力的芯片组（或多个芯片）而言，60% 的良率可能并不算高。
无论如何，由于台积电商业生产的 N3 设计数量目前有限（我们推测它几乎不会超过三个 IC），并且与良率相关的数据是代工厂及其客户的商业机密，我们不能准确知道台积电的N3良率到底有多高或多低，请自行判断。
事实上，出于同样的原因，我们不会将台积电的 N3 良率与三星晶圆代工厂早期的 3GAE 良率进行比较。 EETOP
此外，考虑到有关初始 N3 节点（又名 N3B）的传言，Apple 可能是唯一一家完全采用该技术的公司，因为其他开发商将使用具有改进工艺的 N3E。同时，早期的 N3 良率可能不适用于 N3E（ 及其 N3 技术系列中的其他节点），并且因为它将被广泛使用，这种工艺技术实际上是整个行业应该关心的问题。
现代半导体生产技术包含数千个工艺步骤，并且取决于材料、使用的晶圆厂设备工具、工艺配方和许多其他因素。因此，可能有成千上万种提高或降低产量的方法，这就是为什么深入了解一个因素如何影响其他因素很重要的原因。由于台积电的 N3 (N3B)、N3E、N3S、N3P 和 N3X 是非常不同的制造技术，所以早期的 N3 良率对其余节点来说是个好兆头，但它们并不能保证其他节点也会同样成功（或不那么成功）。
