中国内存大厂武汉新芯新建内存晶圆厂将从本月底开始进行建厂工程，目标最快在 2018 年年初开始生内存芯片，初期规划将以目前最先进的 3D-NAND Flash 为主要策略产品，代表了近两年来中国极力发展内存产业的态势下，将开始进入新的里程碑。TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产 NOR Flash 为主，月产能约为 2 万片左右，在 NAND Flash 产业也展现强大的企图心。
不同于国际 NAND Flash 大厂，武汉新芯选择与飞索半导体（Spansion）共同合作开发 3D-NAND Flash 技术，并在去年完成初期芯片电气测试后，持续往更高的堆叠数迈进，目标 2017 年底或 2018 年初推出 3D-NAND Flash 的产品来切入高成长性的闪存储存产业，也透过尽早导入新技术的方式，缩短与现今国际 NAND Flash 大厂的差距。武汉新芯规划的新厂产能为长期 20 万片，产能的提升比需要伴随未来技术开发的成熟。20 万片为长期的最终计划，非短期能达成，比较明显的产出提升应该在 5~10 年之后。
杨文得表示，英特尔大连厂自今年第四季加入生产行列的带动下，来自中国生产的 NAND Flash 晶圆将占全球的 8%，2017 年第三季前可超过 10%，显示中国发展 NAND Flash 产业的积极度也让国际大厂加速布局角度。
目前 NAND Flash 产业除三星量产 3D-NAND Flash，且已在各大 PC-OEMs 业者中获得不错的市占率，第三代 3D-NAND Flash 也将完成产品测试阶段，可望在 2016 下半年随着新款笔记本电脑铺货的需求而开始量产。
其他 NAND Flash 业者也陆续加速 3D-NAND Flash 的开发，自今年下半年将可开始导入相关固态硬盘的需求应用而出货。DRAMeXchange 预估 2016 年整体 NAND Flash 产业的 3D-NAND Flash 产出比重，将可快速攀升至 20%，较去年的 6% 有显著成长，可让相关固态硬盘的普及与渗透率成长更快速。
