TSMC 和 Cadence 合作开发3D-IC参考流程以实现真正的3D堆叠

2013-09-25 18:42:44 本站原创

亮点:

·   新参考流程增强了CoWoSTM (chip-on-wafer-on-substrate)芯片设计

·   使用带3D堆叠的逻辑搭载存储器进行过流程验证

 

【中国,20139月25日】——全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司NASDAQCDNS)今天宣布,台积电Cadence合作开发出了3D-IC参考流程,该流程带有创新的真正3D堆叠。该流程通过基于Wide I/O接口的3D堆叠,在逻辑搭载存储器设计上进行了验证 ,可实现多块的整合。它将台积电3D堆叠技术和Cadence®3D-IC解决方案相结合,包括集成的设计工具、灵活的实现平台,以及最终的时序物理签收和电流/热分析。

 

相对于纯粹在工艺节点上的进步,3D-IC技术让企业在寻求更高性能和更低功耗的道路上,有了更多的选择。3D-IC给开发当今复杂设计的工程师们提供了几项关键优势,帮他们实现更高的性能、更低的功耗以及更小的尺寸今天宣布的内容两位3D- IC技术先者一年前宣布的台积电CoWoS™参考流程的延续

 

我们与Cadence紧密协作以实现真正3D芯片开发,台积电设计架构营销部高级总监Suk Lee表示。通过这一全新的参考流程,我们的共同客户可以充满信心地向前推进3D-IC的开发,因为他们知道其Cadence工具流程已通过3D-IC测试工具在硅片上进行过验证。

 

“3D-IC是进行产品整合的全新方法。它赋予摩尔定律新的维度,需要深度合作才能获得完美的功能产品,”Cadence首席战略官兼数字与签集团副总裁徐季平表示。这一最新的参考流程表明,我们携手台积电开发3D芯片的实际操作流程不仅可行,而且对于解决芯片复杂性方面是个有吸引力的选择。

 

Cadence 3D-IC流程中的工具囊括了数字、定制/模拟及最终签收技术。它们包括Encounter® Digital Implementation SystemTempus™ Timing Signoff SolutionVirtuoso® Layout EditorPhysical Verification SystemQRC ExtractionEncounter Power SystemEncounter TestAllegro® SiPSigrity™ XcitePI/PowerDC

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