就目前而言，5G已经登上了主舞台。但6G或许并不像我们想象的那么遥远。
在世界范围内开始广泛使用5G技术的同时，研究人员正在为6G奠定基础。这将以超过10 Gbps的数据速率和1毫秒的延迟超越目前的5G功能。Thales在对5G技术的评论中指出，它还可以连接比4G LTE多100倍的设备，并提供1000倍的带宽以及其他改进。
现在，我们知道6G至少需要满足什么条件，但是我们将如何做到？为了回答这个问题，研究人员正在研究频率范围以及将发送和接收这些信号的电路。
根据电子实验室CEA-Leti撰写的一篇论文，通过毫米波（mmWaves）（特别是D波段）通信是6G技术的传播的渠道。D波段只是无线通信的一组指定频率范围。在D波段的演示中，诺基亚概述了这些范围：
这些加起来总共高达31.7 GHz的频率可用于6G，这是非常大的带宽！高通公司表示，这与5G大约13 GHz的带宽相比。此升级可以在单位面积上启用更多连接。不过当这些频率开放时，物理障碍将对这些波产生影响。CEA-Leti建议需要高增益天线和电路。
格勒诺布尔大学（University of Grenoble）发明了一种具有非常高增益的天线设计。该天线模块利用一些D波段，工作在114 GHz和138 GHz之间，最大增益为25 dB，最小增益为22 dB。
该电路旨在通过集成的倍频器实现超快的短距离通信。该乘法器由一系列自混频器电路和放大级组成。自混频器使输出频率相对于输入信号加倍。下面是天线驱动器电路和单个混频器级电路的框图。
关于整个天线驱动器电路，标记为“输入平衡-不平衡转换器”的部分是差分信号进入第一混频器级的地方。混频器和放大器级的电路活动部分（晶体管电路–每个模块的橙色部分）的大小相同，但是输出电感器和变压器（布局图中的绿色）在每个阶段都得到了优化他们正在处理的频率。
因此，我们看到电感器和变压器的尺寸随着频率的增加而减小。相应的级是级联放大器，每级增益加倍。所有这些放大器都是相同的公共源伪差分级。
NMOS晶体管优化频率响应
现在，我们可以看到混频器原理图只实现了NMOS晶体管。这是因为CEA-Leti报告担心CMOS电路对D波段高频的响应能力。该混频器电路实现了两个用于差分输入的晶体管(M5和M6)，以下拉方式连接到差分对NMOS晶体管(M1和M2；M3和M4)。
耦合变压器的自混级原理图和布局
M1和M3连接到输出变压器的一侧，而第二个连接到M2和M4。
现在，由于M5和M6由差分信号控制，因此M1和M3在输入波的相反半个周期导通。这意味着在前半个周期中，M1闭合，M3断开，而在后半个周期中，M3闭合，M1断开。
M2和M4也相同。M1 / M3和M2 / M4的输出节点组合为一个差分信号，并且是输入频率的两倍，因为晶体管组合在不同的半周期内导通和截止。然后，混频器通过变压器耦合到下一个放大级。
该电路中的所有NMOS晶体管（混频器和放大器）均为低阈值晶体管，可优化电路的频率响应。
D波段和新颖的电路设计（例如天线电路）可以成为6G技术的良好初始框架。尽管我们对6G信号将在何处传播有所了解，但还有很长的路要走。我们仍然需要使用该频段进行远程通讯，并考虑大规模集成的挑战。
D波段具有远超5G的空间和能力，新的晶体管电路设计将为天线发射和接收带来如此高的增益，这将使我们能够在高频下进行通信。
6G或许没有我们想象的那么遥远！
