东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于提高大电流设备的效率

2021-03-11 15:59:50 来源：东芝电子

2021年3月11日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日开始批量出货。

TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装，能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接，从而减小封装中源极线的电感，进而发挥MOSFET实现高速开关性能，抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z[1]相比，其导通开关损耗降低了约68%，关断切换损耗降低了约56%[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。

TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容，覆盖了低至65mΩ（最大值）的低导通电阻[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进，以减小设备尺寸并提高效率。

应用

数据中心（服务器电源等）
光伏发电机的功率调节器
不间断电源系统

特性

薄而小的表面贴装封装
采用4引脚封装，可以减少导通和关断的开关损耗。
最新[4]的DTMOSVI系列

主要规格

（Ta＝25℃）

器件型号
TK065U65Z	TK090U65Z	TK110U65Z	TK155U65Z	TK190U65Z
封装
封装		名称	TOLL
尺寸典型值（mm）		9.9×11.68，厚度＝2.3
绝对最大额定值	漏源电压 VDSS（V）	650
绝对最大额定值	漏极电流（DC） ID（A）	38	30	24	18	15
漏源导通电阻 RDS(ON)最大值（Ω） @VGS＝10V		0.065	0.09	0.11	0.155	0.19
栅极电荷总量 Qg典型值（nC）		62	47	40	29	25
栅漏电荷 Qgd典型值（nC）		17	12	11	8	7.1
输入电容 Ciss典型值（pF）		3650	2780	2250	1635	1370
结壳热阻 Rth(ch-c)最大值（℃/W）		0.462	0.543	0.657	0.833	0.961
常规系列（DTMOSIV）器件型号		-	-	-	TK20G60W[6]	TK16G60W[6]
库存查询与购买

在线购买

注：
[1] 具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
[2] 截至2021年3月10日，东芝测得的数值（测试条件：VDD＝400V，VGG＝+10V／0V，ID＝15A，Rg＝10Ω，Ta＝25℃）。
[3] 仅限TK090U65Z
[4] 截至2021年3月10日
[5] 仅限TK065U65Z
[6] VDSS＝600V，D2PAK封装

关键词：东芝 TOLL封装 MOSFET

EETOP 官方微信
创芯大讲堂在线教育
创芯老字号半导体快讯

上一篇：Vishay推出100 %无铅（Pb）版NTCALUG
下一篇：安森美半导体将在Vision China 2021

东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于提高大电流设备的效率

相关文章

延伸阅读

全部评论