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CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块
2020-03-05 16:55:07
来源:
CISSOID
2020年3月5日 – 各行业所需高温
半导体
解决方案的领导者CISSOID今日宣布,将继续致力于应对
汽车
和工业市场的挑战,并推出用于电动
汽车
的三相
碳化硅
(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案,即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式
碳化硅
MOSFET模块。
这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制,对于电动
汽车
(EV)整车厂和愿意快速采用基于
碳化硅
的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言,该平台可以帮助他们加快产品上市时间。
该可扩展平台中的第一款产品是一个三相1200V/450A
碳化硅
MOSFET智能功率模块,它具有低导通损耗特性,导通电阻为3.25毫欧(mOhm),同时具有低开关损耗特性,在600V/300A时导通和关断能量分别为8.3mJ和11.2mJ。相比最先进的IGBT功率模块,其将损耗降低了至少三倍。新模块通过一个轻质的铝
碳化硅
(AlSiC)针翅底板进行水冷,结到流体的热阻为0.15°C / W。该智能功率模块可承受高达3600V的隔离电压(经过50Hz、1分钟的耐压
测试
)。
内置的栅极驱动器包括3个板载隔离
电源
(每相1个),可提供每相高达5W的功率,从而可以在高达125°C的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的功率模块。高达10A的峰值栅极电流和对高dV/dt(> 50KV/µs)的抗扰性可实现功率模块的快速开关和低开关损耗。还具备欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)、去饱和检测和软关断(SSD)等保护功能,以确保一旦发生故障时可以安全地驱动功率模块并提供可靠的保护。
“开发和优化快速开关
碳化硅
功率模块并可靠地驱动它们仍是一个挑战,”CISSOID首席执行官Dave Hutton表示。“这款新型
碳化硅
智能功率模块是在功率模块和栅极驱动器方面进行多年开发的成果,这源于我们和
汽车
与交通运输领域领导者们的密切合作。我们很乐意向早期的
碳化硅
器件采用者提供首批智能功率模块样品,从而去支持
汽车
行业向高效的电动
汽车
解决方案过渡。”
更多信息,请访问
http://www.cissoid.com/new-products/
关键词:
CISSOID
SiC
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