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IR近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。
全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列，提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻，可替代采用较大封装的MOSFET，从而节省电路板空间及系统成本。”
所有新产品均不含铅、溴和卤，符合第一级湿度敏感度标准 (MSL1)及电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
规格
器件 | 通道类型 | 配置 | 封装 | VBRDSS | 最大VGS | 4.5V下的 最大导通电阻 | 2.5V下的 最大导通电阻 | 典型QG |
IRL6297SD | N | 双共漏极 | DirectFET SA | 20 | 12 | 4.9 | 6.9 | 54 |
IRLML2246 | P | 单 | SOT-23 | -20 | 12 | -135 | -236 | 2.9 |
IRLML2244 | P | 单 | SOT-23 | -20 | 12 | -54 | -95 | 6.9 |
IRLML6244 | N | 单 | SOT-23 | 20 | 12 | 21 | 27 | 8.9 |
IRLML6246 | N | 单 | SOT-23 | 20 | 12 | 46 | 66 | 3.5 |
IRLML6344 | N | 单 | SOT-23 | 30 | 12 | 29 | 37 | 6.8 |
IRLML6346 | N | 单 | SOT-23 | 30 | 12 | 63 | 80 | 2.9 |
IRLHS2242 | P | 单 | PQFN 2x2 | -20 | 12 | -31 | -53 | 12 |
IRLHS6242 | N | 单 | PQFN 2x2 | 20 | 12 | 11.7 | 15.5 | 14 |
IRLHS6276 | N | 双独立 | PQFN 2x2 | 20 | 12 | 45 | 62 | 3.1 |
IRLHS6342 | N | 单 | PQFN 2x2 | 30 | 12 | 15.5 | 19.5 | 11 |
IRLHS6376 | N | 双独立 | PQFN 2x2 | 30 | 12 | 82 | 2.8 | |
IRLTS2242 | P | 单 | TSOP-6 | -20 | 12 | -32 | -55 | 12 |
IRLTS6342 | N | 单 | TSOP-6 | 30 | 12 | 17.5 | 22 | 11 |
