ST推出55纳米(nm)嵌入式闪存制造工艺

2010-04-06 16:26:41 来源:本站原创

ST发布55纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器(MCU)芯片将采用这项先进技术。目前,意法半导 体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作。

55nm嵌入式闪存技术基于意法半导体20年来的嵌入式闪存研制技术,是意法半导体成功的90nm嵌入式闪存车用微控制器系列的延续。汽车市场的需 求推动技术要求超过了目前90nm芯片能够提供的性能。下一代汽车系统越来越需要计算性能、能效和存储容量更高的微控制器,以满足市场对汽车应用的需求, 如功能性安全系统、更严格的排放标准或ADAS(先进驾驶辅助系统)解决方案。新技术将让意法半导体能够为客户提供更高的产品性能和附加值,同时为意法半 导体未来的基于Power Architecture™架构的车用32位微控制器提供技术平台。

意法半导体嵌入式闪存技术是在在公司的Crolles工厂开发,同时也将在这里投入生产。意法半导体的Crolles厂是获得汽车行业认证的晶圆制 造厂,是世界领先的55nm嵌入式闪存制造基地。研发制造同地意味着意法半导体能够为客户提供出色的制程稳定性和卓越的产品质量以及长期供货保证。在 Crolles,意法半导体采用55nm技术生产车用产品,并已经制造出好几个全功能的嵌入式闪存测试载具,采用关键汽车系统IP。

意法半导体的首批采用55nm嵌入式闪存制程的微控制器计划以汽车为目标应用,包括发动机管理、变速器管理、车身控制和安全/ADAS系统。预计 2011年中期客户可获得首批55nm嵌入式闪存产品的样片,2013年接受汽车行业的产品认证测试

公司网址:www.stmicroelectronics.com.cn

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