格芯为高性能应用推出全新12纳米FinFET技术

2017-09-27 14:18:43 未知

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全新12LP技术改善了当前代产品的密度和性能平台增强了下一代汽车电子及射频/模拟应用的性能

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米FinFET产品的密度和性能，同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。

这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米FinFET解决方案相比，电路密度提高了15%，性能提升超过10%。这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米FinFET产品竞争。这项技术利用了格芯在纽约萨拉托加县Fab 8的专业技术，该工厂自2016年初以来，一直在大规模量产格芯的14纳米FinFET平台。

“世界正在处于向智能互联时代转型之中，这是一个前所未有的趋势。”格芯首席执行官桑杰·贾（Sanjay Jha）表示，“全新的12LP技术以更高的性能和密度帮助我们的客户在系统层面上继续创新，包括实时连接以及从高端图像处理、汽车电子到工业应用等边缘处理。”

“我们很高兴能进一步拓展与格芯长期以来的合作关系，成为他们全新12LP技术的主要客户，” AMD首席技术官及技术与工程高级副总裁Mark Papermaster表示，“2017年，得力于我们与格芯的深度合作，AMD使用14纳米FinFET技术将一系列领先的高性能产品推向市场。我们很高兴能与格芯在全新12LP工艺技术上进行合作，这也是我们加速产品和技术发展的一部分。”

除了晶体管级的增强，12LP平台还将包括专为业内增长最快的两个领域——汽车电子和射频/模拟应用而设计的面向市场的全新功能。

汽车安全和自动驾驶方面的新兴汽车应用对于处理功耗和极致可靠性都有极高要求。12LP平台兼具这两种功能，并计划于2017年第四季度在Fab 8进行汽车二级资格认证。
新射频特性拓展了12LP平台在6GHz以下无线网络中的高级收发器等射频/模拟应用。/12LP为以数字逻辑为主，射频/模拟内容较少的射频芯片架构提供最佳逻辑和内存微缩。

格芯的全新12纳米FinFET技术是现有12纳米FD-SOI产品12FDX^TM的补充。虽然有些应用要求FinFET晶体管的卓越性能，但许多连接设备需要高度的集成，以及更灵活的性能和功耗，而这是FinFET无法实现的。12FDX为下一代智能互联系统提供了一种替代路径，实现了10纳米FinFET的性能，且比当前代FinFET产品功耗更低，成本更低，射频集成更优。

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