IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF新器件采用沟道纤薄晶圆技术，可减少传导及开关损耗。新器件与软修复 Orr 二极管一起封装，通过 5us 短路额定值来优化超高速开关 (8KHz-30KHz)，并且具备有助于并联的低 Vce(on) 和正 Vce(on) 温度系数。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新推出的 600 V IGBT 器件拥有低 Vce(on) 及低开关损耗的特点，适用于广泛的开关频率范围。此外，这些器件还提供更高的系统效率和稳固的瞬态性能，从而提高可靠性。”
新产品有裸片和封装器件两种形式，有无配置短路额定值均可。其它主要功能还包括175 °C 最高结点温度，以及有助于提高可靠性的低电磁干扰 (EMI) 。
产品规格
器件编号 封装 BV Ic (100°C) Vceon Rth(j-c) 类型
IRGPS4067D Super TO247 600 120 1.9 0.20 oC/W 超高速
IRGP4066D TO-247 600 75 1.9 0.33 oC/W 超高速
