赛普拉斯半导体公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM，开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安全系统和军事系统。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速异步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的访问时间可达12ns。器件采用符合RoHS标准的48-BGA封装方式，尺寸分别为8.0 x 9.5 x 1.2 mm 和 8.0 x 9.5 x 1.4 mm，此为同样存储密度的最小器件尺寸。新型快速异步SRAM系采用赛普拉斯的高性能90纳米C9™ CMOS技术生产。赛普拉斯是快速异步和低功耗SRAM的行业领先者，其产品线存储密度涵盖从4Kbit到64Mbit的范围。
供货情况
CY7C1071DV33 32-Mbit目前已投产，CY7C1081DV33 64-Mbit快速异步SRAM正在出样，预计2010年十月投产。
关于赛普拉斯的SRAM产品线
赛普拉斯是全球SRAM的领导者，拥有包括同步、快速异步、低功耗异步、非易失性SRAM等最宽的产品线。赛普拉斯的异步SRAM产品线能覆盖到144-Mbit的范围，并且具有市场上迄今为止最快的时钟速度和业界最佳的65纳米工艺技术。赛普拉斯宽广的快速异步和低功耗SRAM产品线覆盖从4Kbit到64Mbit的范围，采用90纳米工艺技术。这些器件广泛应用于网络、POS终端、游戏机、存储、汽车等领域。赛普拉斯还提供业界最完整的并行nvSRAM系列器件，涵盖从16Kbit到8Mbit的范围。这些非易失性SRAM系采用赛普拉斯的S8™ 0.13微米SONOS技术，可实现更高的存储密度，并具有可靠的数据收集能力和非常快的读写访问时间。赛普拉斯还提供最大可达36Mbit的多端口存储器，以及最大4Mbit的FIFO。
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