Freescale推出带FlexMemory的90纳米薄膜存储器闪存

2010-03-09 14:31:28 来源:本站原创

飞思卡尔半导体宣布针对其下一代微控制器 (MCU) 平台提供 90纳米(nm) 薄膜存储器 (TFS) 闪存技术。该先进技术预定将在针对下列应用的飞思卡尔 MCU中部署,包括消费电子、家用电器、医疗器械及智能计量系统等。

飞思卡尔还同时推出 TFS 闪存的重要特性 FlexMemory。FlexMemory 提供简单、经济高效的片上增强型电可擦除编程只读存储器 (EEPROM),提供业内领先的灵活性、性能及持久性等附加优势。用户可将FlexMemory 作为附加闪存存储器进行单独部署,或者作为 EEPROM 和闪存存储器的组合进行部署。

飞思卡尔 90纳米薄膜存储器闪存的重要特性

随着 TFS 技术的推出,飞思卡尔能够实现以下优势:

通过革命性的纳米硅技术提供业内领先的比特级可靠性;

快速、低电压的晶体管提供低功耗读取功能,整个闪存操作时电压可低达 1.71 伏,达到功率敏感型应用日益提高的要求;

闪存接入时间不到 30 纳秒;

域效率出众,在各种闪存密度上实现高度的存储和外设集成。

FlexMemory

FlexMemory 在飞思卡尔 90纳米薄膜存储器闪存技术中新增 EEPROM 这一重要特性,并在传统 EEPROM的基础上完成多项改进,包括:

在确保现有 EEPROM容量(高达 16KB)和持久性(在整个适用温度和电压范围超过一百万循环)的同时,提供客户选项和应用优化; 擦除和写入仅需 1.5 微秒即可完成,这比传统 EEPROM 解决方案快五倍。

飞思卡尔 FlexMemory 的多功能性使其可用于多种用途,包括额外的应用程序编码存储,用于数据表或字节写入/删除系统数据的存储。在所有模式中,FlexMemory可与主程序 存储器一同进行访问。   

简单、强大的开发支持

为了完善最近的技术投资,飞思卡尔计划继续把重心放在技术支持解决方案上,包括:

CodeWarrior Development Studio,包括 Processor Expert 代码生成向导。这是一个综合的集成开发环境 (IDE),提供可视化、自动化的架构,以加快最复杂的嵌入式应用的开发。 最新发布的测试版 CodeWarrior 10.0 目前已经开始供货,它采用了开放式架构 Eclipse 软件架构。 Freescale MQX™ 实时操作系统 (RTOS) 与飞思卡尔 32位 MCU 一起供货,为客户提供简化硬件管理及软件开发的全功能、可扩展 RTOS。 飞思卡尔 MQX RTOS 已经提供 10 个平台端口,今年计划再增加 10 个平台支持。 飞思卡尔 Tower System 是一个模块化开发平台,通过快速原型设计和工具的重复使用,可减少现在及将来数月的开发时间。目前共提供六种 Tower System 模块,计划到 2010 年底,可将推出另外20 个模块。欲与设计人员共同分享理念和乐趣,请登录网站:TowerGeeks.org。

飞思卡尔软件和工具选项所具有的先进性,以及其基于最新90纳米闪存技术的下一代 MCU,将为开发人员提供将产品快速、高效地推向市场所需的技术和支持。  

供货情况

飞思卡尔计划于 2010 年第三季度供应具有 90nm TFS 技术及 FlexMemory 特性的 MCU 产品样本,并且计划 2011 年初进行批量生产。

公司网址:www.freescale.com

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