pSemi公司推出完整的5G毫米波射频前端(RFFE)解决方案

2022-03-21 10:24:33 来源:EETOP
圣迭戈,2022年2月1日——村田旗下公司、专注于半导体集成技术的pSemi® Corporation宣布将其毫米波(mmWave)射频前端产品组合拓展至5G无线基础设施应用领域。新型管脚到管脚(pin-to-pin)兼容产品由三个波束成形器IC和两个升降频转换器组成,可以灵活地实现IC互换,在n257、n258和n260频段实现中频到射频全覆盖。这种模块化方法与片上校准和数字校正相结合,有助于系统团队简化设计周期,并快速适应不同的有源天线设计配置。该多元化产品组合可作为分立射频集成电路(RFIC)使用,也可作为Murata 28 GHz天线集成模块的一部分,采用小巧的IC外形尺寸设计,集性能、集成度和可靠性于一身。

pSemi 5G毫米波产品集成组合提供独立IC以及天线集成模块。
在智能中继器、室内基站和其他小型蜂窝应用程序的支持下,毫米波将首先在人口密集的城市地区进行主流部署,实现短距离覆盖。波束成形和有源天线系统的普及,以及人们对网络容量的需求不断增加,为SOI-CMOS技术成为先进5G系统的首选毫米波平台开辟了新的机遇。
pSemi销售和营销副总裁Vikas Choudhary表示:“自2015年以来,pSemi始终致力于提供毫米波产品,并不断深化我们在高频射频SOI设计领域的专业知识和专利组合。这些经验,再加上母公司村田的先进封装和全球制造实力,使我们能够支持更高水平的集成,简化5G毫米波产品的开发和部署。”
8通道波束成形器射频集成电路的特点和优势
每个UltraCMOS®
PE188100、PE188200和PE189100 射频集成电路都在单晶片中集成了功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、移相器、波束成形器、开关和混频器,为多达1024个振子的天线阵列提供最佳的信号强度。  
  • 全频谱覆盖——支持n257 (PE188200)、n258 (PE188100) 和 n260 (PE189100) 频段,具有管脚到管脚(pin-to-pin)兼容性
  • 灵活的天线设计——八个独立可控的射频通道,支持四个双极化或八个单极化天线单元
  • 波束成形精度——在期望的误差向量幅度(EVM)方面提供线性POUT,具有较低的方均根相位误差和幅度误差,可提高天线阵列增益和天线方向性。
双通道升降频转换器射频集成电路的特点和优势
每个
PE128300 和PE129100 都在单晶片中集成了振荡器、混频器、放大器和开关,可与多达16个pSemi波束成形射频集成电路或总共128个波束成形器通道配对,以支持大规模 MIMO、混合波束成形及其他有源天线配置。
  • 宽带覆盖——支持n257/n258 (PE128300) 和 n260 (PE129100) 频段,具有管脚到管脚(pin-to-pin)兼容性
  • 低噪声系统设计——优化I/Q平衡调节能力,最大限度地降低本振(LO)泄漏,从而提高误差向量幅度(EVM)表现
  • 低功耗——业界领先的低功耗特性,可有效降低系统散热设计要求
5G天线集成模块的特点和优势
pSemi 和村田共同打造了一款易于使用的5G毫米波天线集成模块(
1QT型),该模块支持28 GHz频段。在4 x 4天线阵列中,每个模块都集成了高性能天线和带通滤波器以及pSemi波束成形器IC和升降频转换器。多个模块可以组合在一起,便于设计人员快速扩展和构建不同规模的天线阵列。
  • 精密低温共烧陶瓷(LTCC)基板封装——优异的耐热性和防潮性,即使在恶劣环境下也能实现稳定的性能和热管理
  • 先进的带通滤波器技术——低插入损耗和高衰减,可减少干扰,并最大限度地提升信号完整性
  • 通过整机无线辐射性能(OTA)制造测试——性能已通过OTA制造测试验证,可简化开发流程
更多信息
欲了解更多与波束成形器和升降频转换器射频集成电路相关的信息,请
联系pSemi团队。
 欲了解更多与天线集成模块相关的信息,请联系
村田团队

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