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| 使用硅晶体管的单电子转移元件 （图片出自NTT新闻发布资料） （点击放大） | 安装在NPL的高精度电流测量系统使用的样品保持器上的NTT的硅单电子转移元件 （照片出自NTT新闻发布资料） （点击放大） |
在国际单位制（SI）方面，业界于2011年提出了变更定义的方案，建议使用约化普朗克常数h及基本电荷e等自然不变量来重新定义。在这一重新定义中，作为电流基本单位的安培将被把以往为测定值的e改作固定值，根据电流标准来生成电流ef（f：频率）进行设定。利用时钟控制逐一准确输送每个电子的单电子转移元件有望作为最直接的电流标准使用。
此次NTT运用了长年积累的以晶圆级别制作纳米级硅晶体管的技术。该技术能够以出色的成品率制作具有双层栅极和微细单电子岛的构造。将单电子岛微细化后，电子的带电能量就会变大，有望实现高精度的工作。通过向10纳米级细线施加基于栅极电压的封闭，实现了千兆赫兹范围内的高精度工作。
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| NPL的高精度电流测量系统 （图片出自NTT新闻发布资料） （点击放大） | 此次的单电子转移元件的成果和最终目标 （图片出自NTT新闻发布资料） （点击放大） |
另外，此次还使用了NPL的高精度电流测量系统。通过比较单电子转移电流与流过1GΩ高精度标准电阻的参照电流，实现了将不准确性降至10-6左右的高精度测定。与以往的评测相比，这种方法的错误率改善了两位数。此外，上述双方还利用该测量系统测量了由不同材料及不同研究机构制作的元件，此次的成果还将为确认10-6级可变势垒单电子转移元件的普遍性做出贡献。
为了实现具有实用性的电流标准，NTT和NPL今后将推进以更高精度的验证为目标的举措。具体而言，将与欧盟的量子电流标准项目合作，改进高精度测量系统并实施不准确性降至1×10-7左右的测定。另外，还将使用具备单电子级分辨率的电荷计来测量转移的电子数量，由此实现以电流标准的目标值、即1×10-8以下的错误率为目标的高精度评测，同时还将寻找6.5GHz高速工作时精度下降的原因，力争实现最高速时的高精度工作。
