加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2009 年 11 月 4 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低的最小接通时间、宽输入电压范围、同步降压型 DC/DC 开关稳压控制器 LTC3775，该器件驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。LTC3775 具有不到 30ns 的最短接通时间，非常适用于高降压比应用。其 4.5V 至 38V 的输入范围可涵盖多种应用，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的内置 MOSFET 栅极驱动器允许使用大功率的外部 MOSFET，以当输出电压在 0.6V 至输入电压 80% 的范围内变动时产生高达 20A 的输出电流，这使 LTC3775 非常适用于汽车、工业、医疗、数据通信和电信应用。
一种恒定频率、脉冲前沿调制、电压模式电压前馈架构提供了一个可选固定或 250kHz 至 1MHz 的可锁相 (PLL) 频率。输出电流检测通过监视顶端和底端 MOSFET 的电流实现，从而允许对电感器电流的逐周期控制。此外，LTC3775 具有可调软启动，以控制接通时间并控制浪涌电流。可选脉冲跳跃模式或强制连续模式是用户控制的，以优化轻负载效率。LTC3775 具有精确的 0.6V 基准，在 -40°C 至 125°C 的工作温度范围内，准确度为 ±0.75%。
LTC3775 采用耐热增强型 3mm x 3mm QFN-16 封装。LTC3775E 在 -40°C 至 85°C 的温度范围内工作，千片批购价为每片 1.79 美元。LTC3775I 工业级版本在 -40°C 至 125°C 的温度范围内工作，以千片为单位批量购买，每片价格为 2.09 美元。两种版本都有现货供应。如需更多信息，请登录 www.linear.com.cn。
性能概要：LTC3775
• VIN 范围：4.5V 至 38V
• VOUT 范围：0.6V 至 0.8VIN
• 低的最小接通时间 < 30ns
• 强大的内置 N 沟道 MOSFET 驱动器
• 脉冲前沿调制电压模式控制
• 电压前馈补偿
• 检测电阻器或 RDS(ON) 电流检测
• 可编程的逐周期电流限制
• 250kHz 至 1MHz 的可锁相固定频率
• 可编程的软启动
• 在 -40ºC 至 +125ºC 温度范围内具 ±0.75% 基准电压准确度
